Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
RJK0394DPA-00J5A
RJK0394DPA-00#J5A

RJK0394DPA-00#J5A

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJK0394DPA-00J5A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJK0394DPA-00#J5A при покупке от 222 шт 254.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK0394DPA-00#J5A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RJK0394DPA-00#J5A

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3mOhm @ 17.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.5 nC @ 4.5 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2430 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    35W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WPAK
  • Корпус
    8-PowerWDFN
Техническая документация
 RJK0394DPA-00#J5A.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 96000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 222
    254 ₽

Минимально и кратно 222 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJK0394DPA-00J5A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJK0394DPA-00#J5A при покупке от 222 шт 254.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK0394DPA-00#J5A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RJK0394DPA-00#J5A

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3mOhm @ 17.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.5 nC @ 4.5 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2430 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    35W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WPAK
  • Корпус
    8-PowerWDFN
Техническая документация
 RJK0394DPA-00#J5A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FCP11N60FMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    643Кешбэк 96 баллов
    STP110N55F6MOSFET N-CH 55V 110A TO220
    562Кешбэк 84 балла
    BUK7611-55B,118
    143Кешбэк 21 балл
    FDMS86150MOSFET N CH 100V 16A POWER56
    903Кешбэк 135 баллов
    NTTFS5C453NLTAGMOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
    139Кешбэк 20 баллов
    TK31N60W5,S1VFMOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
    1 770Кешбэк 265 баллов
    FQD3N60TFMOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
    132Кешбэк 19 баллов
    IRF530SPBFMOSFET N-CH 100V 14A TO263
    271Кешбэк 40 баллов
    BUK9606-55B,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    155Кешбэк 23 балла
    HUFA75337S3STMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    175Кешбэк 26 баллов
    SI4842BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
    524Кешбэк 78 баллов
    IXTH6N120MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
    2 742Кешбэк 411 баллов
    IRFP150MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3
    271Кешбэк 40 баллов
    NTF5P03T3GMOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
    115Кешбэк 17 баллов
    STP9NK65ZFPMOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP
    345Кешбэк 51 балл
    BSP92PH6327XTSA1MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4
    48Кешбэк 7 баллов
    DMN2005UPS-13MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
    158Кешбэк 23 балла
    STWA12N120K5MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
    2 354Кешбэк 353 балла
    PMN70XPEAXMOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
    64Кешбэк 9 баллов
    SIS415DNT-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
    173Кешбэк 25 баллов
    STB42N60M2-EPMOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
    1 182Кешбэк 177 баллов
    FDP5500N CHANNEL ULTRAFET 55V, 80A, 7M
    401Кешбэк 60 баллов
    IXFH18N100Q3MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
    3 276Кешбэк 491 балл
    2SJ168TE85LFMOSFET P-CH 60V 200MA SC59
    213Кешбэк 31 балл
    FDS7088SN3MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
    273Кешбэк 40 баллов
    DMN3025LSS-13MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
    96Кешбэк 14 баллов
    SI3407DV-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
    81Кешбэк 12 баллов
    FDMA7630MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
    185Кешбэк 27 баллов
    IRFBF30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
    580Кешбэк 87 баллов
    C3M0280090J-TRSICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
    1 904Кешбэк 285 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП