RJK03B7DPA-WS#J53

RJK03B7DPA-WS#J53 Renesas Electronics Corporation N-CHANNEL POWER MOSFET — это тип транзистора, используемого для управления током в электрических цепях. Это устройство относится к семейству N-канальных мощных MOSFETов (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors).

• Основные параметры:
• V_GS(th): 2.0 V, минимальное напряжение на воротах для перехода из состояния отключенного режима в режим conduction.
• I_D(on): 3 A, максимальный ток при включенном состоянии.
• V_DS(max): 70 V, максимально допустимое напряжение между дrain и source.
• R_DS(on): 0.48 Ω, сопротивление при включенном состоянии.

• Плюсы:
• Высокая проводимость при включенном состоянии.
• Низкое сопротивление при включенном состоянии.
• Малый ток утечки при отключенном состоянии.
• Устойчивость к импульсным нагрузкам.

• Минусы:
• Требует дополнительного питания для управления.
• Термическая стабильность может быть проблемой при высоких нагрузках.
• Наличие паразитных элементов (например, емкости).

Общее назначение: N-канальные MOSFETы используются для управления током в различных приложениях, где требуется высокая проводимость и низкое сопротивление при включенном состоянии. Они подходят для применения в системах питания, преобразователях энергии, электронных цепях управления и других устройствах, требующих точного управления током.

• В каких устройствах применяется:
• Преобразователи энергии.
• Системы питания.
• Электронные контроллеры.
• Автомобильная электроника.
• Мощные источники питания.