RJK03K6DPA-00#J5A

RJK03K6DPA-00#J5A — это н-канальный мощной полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation.

• Основные параметры:
• Рейтингное напряжение V_GS(th): 2.7 В
• Рейтингное напряжение V_DS(on): 12 В
• Рейтингная токовая способность I_D(on): 4 А
• Рейтингная температура T_C: 125 °C
• Плюсы:
• Высокая эффективность
• Малые потери энергии при работе
• Компактный размер
• Долгий срок службы
• Минусы:
• Низкая термостойкость при высоких температурах
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Высокие требования к выбору компонентов для защиты
• Общее назначение:
• Управление током в электрических цепях
• Переключение электрических сигналов
• Уменьшение потерь энергии
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления
• Системах питания
• Электронных устройствах с высокими требованиями к энергоэффективности
• Устройствах с высокими частотами работы