Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
RJK03M2DPA-00J5A
  • В избранное
  • В сравнение
RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00#J5A
;
RJK03M2DPA-00#J5A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJK03M2DPA-00J5A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJK03M2DPA-00#J5A при покупке от 1 шт 486.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK03M2DPA-00#J5A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00J5A — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Давайте рассмотрим его основные характеристики, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 45А
  • Потребляемая мощность: 8Вт
  • Пакет: 8WPAK (восьми контактный корпус)

Преимущества:

  • Высокий ток: Возможность работы при высоких значениях тока.
  • Малый размер: Минимальный объем и вес благодаря компактному корпусу 8WPAK.
  • Эффективность: Малые потери энергии благодаря низкому коэффициенту включения.
  • Стабильность: Устойчивость к скачкам напряжения и тока.

Недостатки:

  • Температурная зависимость: Повышение температуры может привести к увеличению потерь энергии.
  • Стоимость: В некоторых случаях могут быть более дешевые аналоги.
  • Зависимость от производителя: Доступность компонентов может зависеть от региона и времени года.

Общее назначение: RJK03M2DPA-00J5A используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность. Это включает:

  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Управление двигателем
  • Автомобильные системы
  • Мощные источники питания
  • Системы управления нагрузкой
Выбрано: Показать

Характеристики RJK03M2DPA-00#J5A

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    45A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8mOhm @ 22.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3850 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WPAK
  • Корпус
    8-WFDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    RJK03M2

Техническая документация

 RJK03M2DPA-00#J5A.pdf
pdf. 0 kb
  • 5991 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    486 ₽
  • 10
    314 ₽
  • 100
    215 ₽
  • 500
    173 ₽
  • 3000
    141 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJK03M2DPA-00J5A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJK03M2DPA-00#J5A при покупке от 1 шт 486.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK03M2DPA-00#J5A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00J5A — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Давайте рассмотрим его основные характеристики, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 45А
  • Потребляемая мощность: 8Вт
  • Пакет: 8WPAK (восьми контактный корпус)

Преимущества:

  • Высокий ток: Возможность работы при высоких значениях тока.
  • Малый размер: Минимальный объем и вес благодаря компактному корпусу 8WPAK.
  • Эффективность: Малые потери энергии благодаря низкому коэффициенту включения.
  • Стабильность: Устойчивость к скачкам напряжения и тока.

Недостатки:

  • Температурная зависимость: Повышение температуры может привести к увеличению потерь энергии.
  • Стоимость: В некоторых случаях могут быть более дешевые аналоги.
  • Зависимость от производителя: Доступность компонентов может зависеть от региона и времени года.

Общее назначение: RJK03M2DPA-00J5A используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность. Это включает:

  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Управление двигателем
  • Автомобильные системы
  • Мощные источники питания
  • Системы управления нагрузкой
Выбрано: Показать

Характеристики RJK03M2DPA-00#J5A

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    45A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8mOhm @ 22.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3850 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WPAK
  • Корпус
    8-WFDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    RJK03M2

Техническая документация

 RJK03M2DPA-00#J5A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    C3M0120090JТранзистор: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
    2 626Кешбэк 393 балла
    C3M0120090DSICFET N-CH 900V 23A TO247-3
    1 825Кешбэк 273 балла
    C3M0065090JТранзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
    2 991Кешбэк 448 баллов
    C2M0160120DSICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
    2 142Кешбэк 321 балл
    C3M0280090JSICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
    1 362Кешбэк 204 балла
    APT44F80LMOSFET N-CH 800V 47A TO264
    3 725Кешбэк 558 баллов
    APT44F80B2MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
    4 284Кешбэк 642 балла
    APT30N60BC6MOSFET N-CH 600V 30A TO247
    1 503Кешбэк 225 баллов
    TP2510N8-GMOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
    255Кешбэк 38 баллов
    TN2540N3-GТранзистор: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
    246Кешбэк 36 баллов
    VN2410L-GMOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
    201Кешбэк 30 баллов
    TN5335N8-GMOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
    194Кешбэк 29 баллов
    VP0550N3-GMOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
    101Кешбэк 15 баллов
    TP2104N3-GMOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
    130Кешбэк 19 баллов
    VN0606L-GMOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
    231Кешбэк 34 балла
    VN1206L-GMOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
    93Кешбэк 13 баллов
    TN0606N3-GMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
    196Кешбэк 29 баллов
    VN0106N3-GMOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
    149Кешбэк 22 балла
    TP2535N3-GMOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
    97Кешбэк 14 баллов
    VP0104N3-GMOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3
    164Кешбэк 24 балла
    VP0808L-GMOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
    320Кешбэк 48 баллов
    TP2540N8-GMOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
    283Кешбэк 42 балла
    DN2535N3-GТранзистор: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
    82Кешбэк 12 баллов
    TN0604N3-GMOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
    235Кешбэк 35 баллов
    TP0606N3-GMOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
    184Кешбэк 27 баллов
    TN0702N3-GMOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
    278Кешбэк 41 балл
    VN2210N3-GMOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
    402Кешбэк 60 баллов
    VN0550N3-GMOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
    132Кешбэк 19 баллов
    TN2640N3-GMOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3
    354Кешбэк 53 балла
    TP0604N3-GТранзистор: MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3
    309Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП