Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
RJK03M2DPA-00J5A
  • В избранное
  • В сравнение
RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00#J5A
;
RJK03M2DPA-00#J5A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJK03M2DPA-00J5A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJK03M2DPA-00#J5A при покупке от 1 шт 486.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK03M2DPA-00#J5A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00J5A — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Давайте рассмотрим его основные характеристики, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 45А
  • Потребляемая мощность: 8Вт
  • Пакет: 8WPAK (восьми контактный корпус)

Преимущества:

  • Высокий ток: Возможность работы при высоких значениях тока.
  • Малый размер: Минимальный объем и вес благодаря компактному корпусу 8WPAK.
  • Эффективность: Малые потери энергии благодаря низкому коэффициенту включения.
  • Стабильность: Устойчивость к скачкам напряжения и тока.

Недостатки:

  • Температурная зависимость: Повышение температуры может привести к увеличению потерь энергии.
  • Стоимость: В некоторых случаях могут быть более дешевые аналоги.
  • Зависимость от производителя: Доступность компонентов может зависеть от региона и времени года.

Общее назначение: RJK03M2DPA-00J5A используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность. Это включает:

  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Управление двигателем
  • Автомобильные системы
  • Мощные источники питания
  • Системы управления нагрузкой
Выбрано: Показать

Характеристики RJK03M2DPA-00#J5A

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    45A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8mOhm @ 22.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3850 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WPAK
  • Корпус
    8-WFDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    RJK03M2

Техническая документация

 RJK03M2DPA-00#J5A.pdf
pdf. 0 kb
  • 5991 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    486 ₽
  • 10
    314 ₽
  • 100
    215 ₽
  • 500
    173 ₽
  • 3000
    141 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJK03M2DPA-00J5A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 45A 8WPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJK03M2DPA-00#J5A при покупке от 1 шт 486.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK03M2DPA-00#J5A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJK03M2DPA-00#J5A

RJK03M2DPA-00J5A — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Давайте рассмотрим его основные характеристики, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 45А
  • Потребляемая мощность: 8Вт
  • Пакет: 8WPAK (восьми контактный корпус)

Преимущества:

  • Высокий ток: Возможность работы при высоких значениях тока.
  • Малый размер: Минимальный объем и вес благодаря компактному корпусу 8WPAK.
  • Эффективность: Малые потери энергии благодаря низкому коэффициенту включения.
  • Стабильность: Устойчивость к скачкам напряжения и тока.

Недостатки:

  • Температурная зависимость: Повышение температуры может привести к увеличению потерь энергии.
  • Стоимость: В некоторых случаях могут быть более дешевые аналоги.
  • Зависимость от производителя: Доступность компонентов может зависеть от региона и времени года.

Общее назначение: RJK03M2DPA-00J5A используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и надежность. Это включает:

  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Управление двигателем
  • Автомобильные системы
  • Мощные источники питания
  • Системы управления нагрузкой
Выбрано: Показать

Характеристики RJK03M2DPA-00#J5A

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    45A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8mOhm @ 22.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3850 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WPAK
  • Корпус
    8-WFDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    RJK03M2

Техническая документация

 RJK03M2DPA-00#J5A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP75P04YLG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
    535Кешбэк 80 баллов
    HAT1043M-EL-E4.4A, 20V, P-CHANNEL MOSFET
    322Кешбэк 48 баллов
    RJK0701DPN-E0#T2MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
    808Кешбэк 121 балл
    RJK03B7DPA-00#J53MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    150Кешбэк 22 балла
    UPA622TT-E1-AMOSFET N-CH 30V 3A 6WSOF
    85Кешбэк 12 баллов
    UPA2520T1H-T1-ATMOSFET N-CH 30V 10A 8VSOF
    211Кешбэк 31 балл
    RJK0236DPA-00#J5AMOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
    246Кешбэк 36 баллов
    RJK0328DPB-00#J0MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    UPA2815T1S-E2-ATMOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
    272Кешбэк 40 баллов
    UPA2814T1S-E2-ATMOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
    298Кешбэк 44 балла
    RJK0355DSP-00#J0MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
    313Кешбэк 46 баллов
    RJK0353DPA-01#J0BMOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
    506Кешбэк 75 баллов
    FS30AS-2-T13#B00HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL
    287Кешбэк 43 балла
    UPA2520T1H-T2-ATMOSFET N-CH 30V 10A 8VSOF
    211Кешбэк 31 балл
    RJK03M7DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    126Кешбэк 18 баллов
    NP60N055VUK-E1-AYMOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
    300Кешбэк 45 баллов
    RJK0455DPB-00#J5MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
    509Кешбэк 76 баллов
    UPA2716AGR-E1-AT
    261Кешбэк 39 баллов
    2SK3814-AZMOSFET N-CH 60V 60A TO251
    348Кешбэк 52 балла
    RJK03M4DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
    443Кешбэк 66 баллов
    RJK0390DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    RJK03M2DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 45A 8WPAK
    483Кешбэк 72 балла
    RJK03M5DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
    406Кешбэк 60 баллов
    NP82N04MUG-S18-AYMOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
    413Кешбэк 61 балл
    RJK03M3DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
    463Кешбэк 69 баллов
    NP75P03YDG-E1-AYMOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
    532Кешбэк 79 баллов
    RJK6014DPP-E0#T2POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    1 167Кешбэк 175 баллов
    RJK0366DPA-02#J0BMOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
    250Кешбэк 37 баллов
    RJK0349DSP-01#J0MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
    470Кешбэк 70 баллов
    RJK0332DPB-01#J0SILICON N CHANNEL POWER SWITCHI
    404Кешбэк 60 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП