Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
RJK03M4DPA-00J5A
  • В избранное
  • В сравнение
RJK03M4DPA-00#J5A

RJK03M4DPA-00#J5A

RJK03M4DPA-00#J5A
;
RJK03M4DPA-00#J5A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJK03M4DPA-00J5A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJK03M4DPA-00#J5A при покупке от 1 шт 443.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK03M4DPA-00#J5A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJK03M4DPA-00#J5A

RJK03M4DPA-00J5A — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Он предназначен для применения в различных электронных устройствах, где требуется управление током.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 35А
    • Рабочая мощность: 8WPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток утечки
    • Высокая надежность и долговечность
    • Минимальная потребляемая энергия при работе
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдение правил по выбору и подключению компонентов
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных схемах
    • Переключение нагрузок в цифровых устройствах
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные инверторы и преобразователи
    • Измерительные приборы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики RJK03M4DPA-00#J5A

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6mOhm @ 17.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2170 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WPAK
  • Корпус
    8-WFDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    RJK03M4
  • 6000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    443 ₽
  • 10
    284 ₽
  • 100
    194 ₽
  • 500
    155 ₽
  • 3000
    124 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas Electronics Corporation
  • Артикул:
    RJK03M4DPA-00J5A
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAKВсе характеристики

Минимальная цена RJK03M4DPA-00#J5A при покупке от 1 шт 443.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK03M4DPA-00#J5A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJK03M4DPA-00#J5A

RJK03M4DPA-00J5A — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Renesas Electronics Corporation. Он предназначен для применения в различных электронных устройствах, где требуется управление током.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 35А
    • Рабочая мощность: 8WPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток утечки
    • Высокая надежность и долговечность
    • Минимальная потребляемая энергия при работе
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдение правил по выбору и подключению компонентов
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных схемах
    • Переключение нагрузок в цифровых устройствах
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Мощные инверторы и преобразователи
    • Измерительные приборы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики RJK03M4DPA-00#J5A

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6mOhm @ 17.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2170 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WPAK
  • Корпус
    8-WFDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    RJK03M4

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7414DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
    504Кешбэк 75 баллов
    SUD50P10-43L-GE3MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
    595Кешбэк 89 баллов
    SI8808DB-T2-E1MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
    128Кешбэк 19 баллов
    SIA461DJ-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SIB406EDK-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
    159Кешбэк 23 балла
    SIB433EDK-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
    146Кешбэк 21 балл
    SI2343DS-T1-E3MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
    287Кешбэк 43 балла
    IRF520PBFMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    119Кешбэк 17 баллов
    IRFR210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
    94Кешбэк 14 баллов
    SIS454DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
    291Кешбэк 43 балла
    SIHB22N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
    954Кешбэк 143 балла
    SIR402DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    367Кешбэк 55 баллов
    SI1443EDH-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
    102Кешбэк 15 баллов
    IRF820PBFMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
    115Кешбэк 17 баллов
    SI4465ADY-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 8SOIC
    500Кешбэк 75 баллов
    SIRA04DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    345Кешбэк 51 балл
    SISS40DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
    346Кешбэк 51 балл
    SI7611DN-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
    439Кешбэк 65 баллов
    SI4401BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    498Кешбэк 74 балла
    SQD40N06-14L_GE3MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
    450Кешбэк 67 баллов
    SI8489EDB-T2-E1MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
    132Кешбэк 19 баллов
    SI8457DB-T1-E1MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
    115Кешбэк 17 баллов
    SI4463BDY-T1-E3MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3493BDV-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
    254Кешбэк 38 баллов
    SI3410DV-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
    224Кешбэк 33 балла
    SI7149DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
    424Кешбэк 63 балла
    SI3433CDV-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
    120Кешбэк 18 баллов
    IRFR310PBFMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
    107Кешбэк 16 баллов
    SI1330EDL-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
    148Кешбэк 22 балла
    SI7655DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
    439Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП