Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RJK1051DPB-00#J5

RJK1051DPB-00#J5

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RJK1051DPB-00#J5 при покупке от 1 шт 411 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK1051DPB-00#J5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RJK1051DPB-00#J5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39mOhm @ 7.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2060 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK
  • Корпус
    SC-100, SOT-669
  • Base Product Number
    RJK1051
Техническая документация
8086941.pdf
pdf. 0 kb
  • 2481 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    411 ₽
  • 10
    280 ₽
  • 100
    199 ₽
  • 500
    164 ₽
  • 2500
    149 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена RJK1051DPB-00#J5 при покупке от 1 шт 411 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJK1051DPB-00#J5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RJK1051DPB-00#J5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39mOhm @ 7.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2060 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    45W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK
  • Корпус
    SC-100, SOT-669
  • Base Product Number
    RJK1051
Техническая документация
8086941.pdf
pdf. 0 kb