RJK60S5DPE-00#J3

Основные параметры:

• Напряжение сток-исток (Vds): 600 В
• Ток стока (Id): 20 А
• Тип канала: N-канал
• Корпус: 4LDPAK
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Зависит от Vgs, обычно около 0.12 Ом при Vgs = 10 В
• Рассеиваемая мощность (Pd): Зависит от условий охлаждения, до 125 Вт

Плюсы:

• Высокое напряжение пробоя (600 В) – подходит для высоковольтных приложений.
• Высокий ток – позволяет использовать в мощных схемах.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) – снижает потери мощности и повышает эффективность.
• Корпус 4LDPAK – обеспечивает эффективное теплоотведение.
• N-канальная структура – часто используется в схемах управления нагрузкой.

Минусы:

• Может требовать драйвера затвора из-за емкости затвора.
• Стоимость может быть выше по сравнению с MOSFET с более низкими характеристиками.

Общее назначение:

RJK60S5DPE-00J3 – это мощный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в высоковольтных и сильноточных приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность.

Применяется в:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы
• Преобразователи напряжения
• Силовая электроника
• Электрические транспортные средства
• Промышленные приводы
• Системы охлаждения