RJP4002ASA-00#Q0

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• Основные параметры:
• Максимальное напряжениеcollector-emitter (V_CEO)
• Максимальный ток collector (I_CM)
• Максимальная частота работы (f_max)
• Эффективность потерь (on-state resistance, R_DS(on))
• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе в режиме провода
• Простота управления благодаря использованию MOSFET структуры
• Высокая мощность и низкие потери
• Устойчивость к обратному напряжению
• Минусы:
• Замедленная скорость переключения по сравнению с MOSFET
• Высокие потери при частых переключениях
• Общее назначение:
• Контроль мощности в электронных устройствах
• Регулирование скорости электродвигателей
• Переключение высоких напряжений и токов
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы привода и автоматизации
• Инверторы для управления электрическими нагрузками
• Оборудование для производства
• Питание для бытовой техники и компьютеров