RJP4009ANS-WS#Q6

RJP4009ANS-WS#Q6 — транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), работающий на напряжении до 400 В и способный пропускать ток до 150 А. Это N-канальный транзистор.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение блокировки: 400 В
• Максимальный номинальный ток: 150 А
• Канал: N-канальный

• Плюсы:
• Высокая эффективность в широком диапазоне рабочих условий
• Высокая скорость включения и выключения
• Меньшее количество тепла при работе
• Упрощенная конструкция по сравнению с традиционными транзисторами

• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
• Требуется дополнительное охлаждение для работы на максимальных токах

• Общее назначение:
• Используется в различных приборах и системах, требующих высокой эффективности и надежности, таких как:
• Автомобильная электроника
• Промышленные системы управления
• Энергетические системы
• Питание серверных шкафов и данных центров