Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
RJU003N03FRAT106
  • В избранное
  • В сравнение
RJU003N03FRAT106

RJU003N03FRAT106

RJU003N03FRAT106
;
RJU003N03FRAT106

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RJU003N03FRAT106
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3Все характеристики

Минимальная цена RJU003N03FRAT106 при покупке от 1 шт 80.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJU003N03FRAT106 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJU003N03FRAT106

RJU003N03FRAT106 — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Rohm Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • N-канальный тип
    • Номинальное напряжение блокировки VGS(th) = 30 В
    • Номинальный ток нагрузки ID = 300 mA
    • Модель: UMT3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии
    • Малое потребление энергии
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с переключением при больших скоростях

Общее назначение: MOSFET RJU003N03FRAT106 используется для управления током в различных электронных устройствах и системах. Он применяется для регулирования напряжения и тока, защиты цепей от избыточного напряжения и тока, а также для управления активными компонентами в цифровых и аналоговых схемах.

  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Мощные источники питания
    • Системы управления электроприборами
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики RJU003N03FRAT106

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    UMT3
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    RJU003

Техническая документация

 RJU003N03FRAT106.pdf
pdf. 0 kb
  • 2956 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    80 ₽
  • 100
    31 ₽
  • 1000
    20.6 ₽
  • 6000
    13.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RJU003N03FRAT106
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3Все характеристики

Минимальная цена RJU003N03FRAT106 при покупке от 1 шт 80.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RJU003N03FRAT106 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RJU003N03FRAT106

RJU003N03FRAT106 — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Rohm Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • N-канальный тип
    • Номинальное напряжение блокировки VGS(th) = 30 В
    • Номинальный ток нагрузки ID = 300 mA
    • Модель: UMT3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий коэффициент сопротивления при включенном состоянии
    • Малое потребление энергии
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Могут возникать проблемы с переключением при больших скоростях

Общее назначение: MOSFET RJU003N03FRAT106 используется для управления током в различных электронных устройствах и системах. Он применяется для регулирования напряжения и тока, защиты цепей от избыточного напряжения и тока, а также для управления активными компонентами в цифровых и аналоговых схемах.

  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Мощные источники питания
    • Системы управления электроприборами
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики RJU003N03FRAT106

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    24 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    UMT3
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    RJU003

Техническая документация

 RJU003N03FRAT106.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PJQ5443_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    207Кешбэк 31 балл
    PJS6461-AU_S1_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    204Кешбэк 30 баллов
    PJD15P06A-AU_L2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4443P_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    195Кешбэк 29 баллов
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJA3440-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    PJA3402-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    106Кешбэк 15 баллов
    PJA3401_R1_00001SOT-23, MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ2460_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJQ4441P-AU_R2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    202Кешбэк 30 баллов
    PJA3428_R1_00001SOT-23, MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    PJQ4468AP_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    233Кешбэк 34 балла
    PJW5P06A-AU_R2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    187Кешбэк 28 баллов
    PJA3404-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    PJQ4408P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    141Кешбэк 21 балл
    PJQ4408P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4410P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    124Кешбэк 18 баллов
    PJD50P04_L2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    220Кешбэк 33 балла
    PJC7409_R1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    63Кешбэк 9 баллов
    PJQ4460AP-AU_R2_000A160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    137Кешбэк 20 баллов
    PJE8438_R1_0000150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ4402P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    196Кешбэк 29 баллов
    PJD50P04-AU_L2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    293Кешбэк 43 балла
    PJE138L_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    72Кешбэк 10 баллов
    PJQ5465A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    180Кешбэк 27 баллов
    PJA3439-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    67Кешбэк 10 баллов
    PJW4P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    111Кешбэк 16 баллов
    PJW7N06A_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    148Кешбэк 22 балла
    PJS6415_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    100Кешбэк 15 баллов
    PJQ5423_R2_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    206Кешбэк 30 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП