Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
RMB2S
  • В избранное
  • В сравнение
RMB2S

RMB2S

RMB2S
;
RMB2S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    RMB2S
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MBSВсе характеристики

Минимальная цена RMB2S при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RMB2S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RMB2S

RMB2S Taiwan Semiconductor Corporation BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MBS — это диодный мост, используемый для преобразования альтернационного тока в постоянный.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR): 200В
    • Номинальный ток (IРМС): 800мА
    • Количество элементов в мосту: 4
    • Тип моста: однополупроводниковый (1P)
    • Тип корпуса: MBS (обычно означает "Metal Base Submount")
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами диодов
    • Необходимость правильной теплоотвода из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Преобразование альтернационного тока в постоянный
    • Использование в источниках питания
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Увеличение эффективности работы электроприборов
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Передатчики и приемники телевидения
    • Электроприборы с высокими требованиями к качеству питания
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Блоки питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики RMB2S

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    800 mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    MBS
  • Base Product Number
    RMB2

Техническая документация

 RMB2S.pdf
pdf. 0 kb
  • 3392 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    159 ₽
  • 100
    64 ₽
  • 1000
    45 ₽
  • 6000
    35 ₽
  • 24000
    30 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    RMB2S
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MBSВсе характеристики

Минимальная цена RMB2S при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RMB2S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RMB2S

RMB2S Taiwan Semiconductor Corporation BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MBS — это диодный мост, используемый для преобразования альтернационного тока в постоянный.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR): 200В
    • Номинальный ток (IРМС): 800мА
    • Количество элементов в мосту: 4
    • Тип моста: однополупроводниковый (1P)
    • Тип корпуса: MBS (обычно означает "Metal Base Submount")
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Стабильная работа при различных температурных условиях
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами диодов
    • Необходимость правильной теплоотвода из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Преобразование альтернационного тока в постоянный
    • Использование в источниках питания
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Увеличение эффективности работы электроприборов
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Передатчики и приемники телевидения
    • Электроприборы с высокими требованиями к качеству питания
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Блоки питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики RMB2S

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    800 mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Исполнение корпуса
    MBS
  • Base Product Number
    RMB2

Техническая документация

 RMB2S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBS4A1PH BRIDGE 19X10X3.5 50V 4A
    162Кешбэк 24 балла
    GBU6G-T1PH BRIDGE GBU 400V 6A
    81Кешбэк 12 баллов
    GBI40M1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 40A
    248Кешбэк 37 баллов
    KBPC5008WP1PH BRIDGE KBPC 800V 50A
    1 002Кешбэк 150 баллов
    KBPC3508WP1PH BRIDGE KBPC 800V 35A
    463Кешбэк 69 баллов
    DB35-063PH BRIDGE DB 600V 35A
    852Кешбэк 127 баллов
    DB25-16Диод: 3PH BRIDGE DB 1600V 25A
    1 121Кешбэк 168 баллов
    GBI25K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 25A
    168Кешбэк 25 баллов
    DBI20-16B3PH BRIDGE 35X25X4 1600V 20A
    1 503Кешбэк 225 баллов
    KBPC10/15/2502WP1PH BRIDGE KBPC 200V 25A
    708Кешбэк 106 баллов
    DB25-083PH BRIDGE DB 800V 25A
    863Кешбэк 129 баллов
    DB25-043PH BRIDGE DB 400V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    KBPC10/15/2516WP1PH BRIDGE KBPC 1600V 25A
    1 086Кешбэк 162 балла
    DB15-013PH BRIDGE DB 100V 25A
    1 797Кешбэк 269 баллов
    DB25-023PH BRIDGE DB 200V 25A
    1 530Кешбэк 229 баллов
    DB15-023PH BRIDGE DB 200V 25A
    671Кешбэк 100 баллов
    B250S15ABRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE,
    69Кешбэк 10 баллов
    DB35-043PH BRIDGE DB 400V 35A
    830Кешбэк 124 балла
    DB15-043PH BRIDGE DB 400V 25A
    717Кешбэк 107 баллов
    DBI25-18A3PH BRIDGE 35X25X4 1800V 25A
    1 690Кешбэк 253 балла
    DB35-023PH BRIDGE DB 200V 35A
    706Кешбэк 105 баллов
    DB15-10Диод: 3PH BRIDGE DB 1000V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    KBPC2506I1PH BRIDGE KBPC 600V 25A
    552Кешбэк 82 балла
    DB15-123PH BRIDGE DB 1200V 25A
    826Кешбэк 123 балла
    DB15-163PH BRIDGE DB 1600V 25A
    793Кешбэк 118 баллов
    GBI15B1PH BRIDGE 30X20X3.6 100V 15A
    164Кешбэк 24 балла
    DB15-063PH BRIDGE DB 600V 25A
    711Кешбэк 106 баллов
    DB25-14Соединитель: Диод: 3PH BRIDGE DB 1400V 25A
    2 053Кешбэк 307 баллов
    DB35-013PH BRIDGE DB 100V 35A
    1 067Кешбэк 160 баллов
    GBU8J-TДиод: 1PH BRIDGE GBU 600V 8A
    161Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - Специального назначения
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП