Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
RN1101MFV,L3F(CT
  • В избранное
  • В сравнение
RN1101MFV,L3F(CT

RN1101MFV,L3F(CT

RN1101MFV,L3F(CT
;
RN1101MFV,L3F(CT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1101MFV,L3F(CT
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики

Минимальная цена RN1101MFV,L3F(CT при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1101MFV,L3F(CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1101MFV,L3F(CT

Размеры и описание:

  • Марка: RN1101MFV
  • Тип: Транзистор NPN
  • Класс: PREBIAS
  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
  • Номинальный ток коллектора: 0.1А
  • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage

Основные параметры:

  • Напряжение срабатывания: около 0.7В
  • Предел управляющего напряжения: до 20В
  • Номинальная мощность: 0.1В·А
  • Коэффициент усиления: 50-100

Плюсы:

  • Высокая стабильность характеристик при температурных перепадах
  • Долгий срок службы
  • Устойчивость к шумам и помехам

Минусы:

  • Низкая мощность, не подходит для высоковольтных или высокотоковых приложений
  • Требует дополнительного предварительного подпитки (PREBIAS)

Общее назначение:

  • Управление нагрузками
  • Усилитель сигналов
  • Регулирование тока

Применение в устройствах:

  • Радиоприемники
  • Телевизоры
  • Компьютеры
  • Автомобильные системы
  • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики RN1101MFV,L3F(CT

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    RN1101

Техническая документация

 RN1101MFV,L3F(CT.pdf
pdf. 0 kb
  • 2536 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    29.6 ₽
  • 100
    11 ₽
  • 1000
    6.3 ₽
  • 8000
    3.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1101MFV,L3F(CT
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMВсе характеристики

Минимальная цена RN1101MFV,L3F(CT при покупке от 1 шт 29.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1101MFV,L3F(CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1101MFV,L3F(CT

Размеры и описание:

  • Марка: RN1101MFV
  • Тип: Транзистор NPN
  • Класс: PREBIAS
  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
  • Номинальный ток коллектора: 0.1А
  • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage

Основные параметры:

  • Напряжение срабатывания: около 0.7В
  • Предел управляющего напряжения: до 20В
  • Номинальная мощность: 0.1В·А
  • Коэффициент усиления: 50-100

Плюсы:

  • Высокая стабильность характеристик при температурных перепадах
  • Долгий срок службы
  • Устойчивость к шумам и помехам

Минусы:

  • Низкая мощность, не подходит для высоковольтных или высокотоковых приложений
  • Требует дополнительного предварительного подпитки (PREBIAS)

Общее назначение:

  • Управление нагрузками
  • Усилитель сигналов
  • Регулирование тока

Применение в устройствах:

  • Радиоприемники
  • Телевизоры
  • Компьютеры
  • Автомобильные системы
  • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики RN1101MFV,L3F(CT

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    RN1101

Техническая документация

 RN1101MFV,L3F(CT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RN1303,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN2106,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN2104,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN2105,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN1304,LXHFТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN , R1=47KOH
    63Кешбэк 9 баллов
    RN1104,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN2109,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN2107MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    33Кешбэк 4 балла
    RN1116,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    33.3Кешбэк 4 балла
    RN2426(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    83Кешбэк 12 баллов
    RN1102MFV,L3XHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10K, Q1BER=
    50Кешбэк 7 баллов
    RN1107,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=10K,
    56Кешбэк 8 баллов
    RN1407,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    31.5Кешбэк 4 балла
    RN2424(TE85L,F)Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
    80Кешбэк 12 баллов
    RN1101,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
    56Кешбэк 8 баллов
    RN2102,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
    54Кешбэк 8 баллов
    RN1107MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN1108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
    37.4Кешбэк 5 баллов
    RN2103,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    37.4Кешбэк 5 баллов
    RN2108,LF(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
    37.4Кешбэк 5 баллов
    RN1302,LXHFТранзистор: AUTO AEC-Q SINGLE NPN , R1=10KOH
    61Кешбэк 9 баллов
    RN1101MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN1405,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    35Кешбэк 5 баллов
    RN1304,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
    35Кешбэк 5 баллов
    RN1417,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    29.6Кешбэк 4 балла
    RN2106MFV,L3F(CTТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
    33Кешбэк 4 балла
    RN1414,LFТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
    31.5Кешбэк 4 балла
    ADTA144ECAQ-13Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла
    DDTC143ZCAQ-13-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
    37Кешбэк 5 баллов
    DDTC144ECAQ-13-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
    37Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы специального назначения
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП