Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
RN1509(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
RN1509(TE85L,F)

RN1509(TE85L,F)

RN1509(TE85L,F)
;
RN1509(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1509(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMVВсе характеристики

Минимальная цена RN1509(TE85L,F) при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1509(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1509(TE85L,F)

RN1509 (TE85L, F) Toshiba Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Мощность: 0.3 Вт
    • Напряжение перехода VCEO: 30 В
    • Предел тока ICM: 100 мА
    • Преоблачение (без нагрузки): 60°
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Доступность и широкое применение
  • Минусы:
    • Низкая мощность (0.3 Вт)
    • Средняя скорость переключения
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Коммутационные цепи
    • Инверторы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильные системы
    • Инверторы для питания
Выбрано: Показать

Характеристики RN1509(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74A, SOT-753
  • Исполнение корпуса
    SMV
  • Base Product Number
    RN1509
  • 5790 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 100
    38 ₽
  • 1000
    20.4 ₽
  • 6000
    11.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1509(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMVВсе характеристики

Минимальная цена RN1509(TE85L,F) при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1509(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1509(TE85L,F)

RN1509 (TE85L, F) Toshiba Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Мощность: 0.3 Вт
    • Напряжение перехода VCEO: 30 В
    • Предел тока ICM: 100 мА
    • Преоблачение (без нагрузки): 60°
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Доступность и широкое применение
  • Минусы:
    • Низкая мощность (0.3 Вт)
    • Средняя скорость переключения
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Коммутационные цепи
    • Инверторы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильные системы
    • Инверторы для питания
Выбрано: Показать

Характеристики RN1509(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74A, SOT-753
  • Исполнение корпуса
    SMV
  • Base Product Number
    RN1509

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSTB60BDW1T1Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    PEMH2,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
    102Кешбэк 15 баллов
    PBLS4001V,115TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    39Кешбэк 5 баллов
    BCR135SH6327XTSA1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    72Кешбэк 10 баллов
    MUN5311DW1T1Транзистор
    14.8Кешбэк 2 балла
    DDC114TU-7-FТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    PUMD15,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    37Кешбэк 5 баллов
    EMH9T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
    128Кешбэк 19 баллов
    PUMD15,135Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    NSBC114EPDP6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
    50Кешбэк 7 баллов
    NSBC114YDP6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
    63Кешбэк 9 баллов
    PUMH11FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    NSVMUN5233DW1T3GТранзистор: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
    50Кешбэк 7 баллов
    SMUN5235DW1T3GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    MUN5213DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NSBC143ZDP6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
    70Кешбэк 10 баллов
    DDC143TU-7-FТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    DCX114EU-13R-FТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    37Кешбэк 5 баллов
    NSVMUN5214DW1T3GТранзистор: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
    50Кешбэк 7 баллов
    MUN5333DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    DMA9640M0RТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
    133Кешбэк 19 баллов
    NSVMUN5212DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    MUN5130DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    XP0121000LТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5
    25Кешбэк 3 балла
    PUMD10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMH9,135Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    EMD4T2RТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    98Кешбэк 14 баллов
    PUMD13,135Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PUMH13,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    20.7Кешбэк 3 балла
    MUN5312DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП