Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
RN1703JE(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
RN1703JE(TE85L,F)

RN1703JE(TE85L,F)

RN1703JE(TE85L,F)
;
RN1703JE(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1703JE(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVВсе характеристики

Минимальная цена RN1703JE(TE85L,F) при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1703JE(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1703JE(TE85L,F)

RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Преустановленный биас
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря качественному производству Toshiba
    • Устойчивость к перегреву благодаря преустановленному биасу
    • Небольшая мощность позволяет использовать его в различных приложениях без опасений за перегрев
  • Минусы:
    • Низкая мощность может ограничивать его применение в устройствах с высокими требованиями к мощности
    • Требует дополнительного внимания при проектировании и использовании из-за небольшой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в цифровых и аналоговых электронных устройствах для управляющего действия
    • Подходит для предварительного биаса в схемах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы
    • Коммутационные устройства
    • Цифровые часы и другие электронные часы
    • Маломощные радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики RN1703JE(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    22kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    100mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-553
  • Исполнение корпуса
    ESV
  • Base Product Number
    RN1703

Техническая документация

 RN1703JE(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 4000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    27.6 ₽
  • 1000
    15.7 ₽
  • 4000
    12 ₽
  • 24000
    10 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1703JE(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESVВсе характеристики

Минимальная цена RN1703JE(TE85L,F) при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1703JE(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1703JE(TE85L,F)

RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Преустановленный биас
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря качественному производству Toshiba
    • Устойчивость к перегреву благодаря преустановленному биасу
    • Небольшая мощность позволяет использовать его в различных приложениях без опасений за перегрев
  • Минусы:
    • Низкая мощность может ограничивать его применение в устройствах с высокими требованиями к мощности
    • Требует дополнительного внимания при проектировании и использовании из-за небольшой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в цифровых и аналоговых электронных устройствах для управляющего действия
    • Подходит для предварительного биаса в схемах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы
    • Коммутационные устройства
    • Цифровые часы и другие электронные часы
    • Маломощные радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики RN1703JE(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    22kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    100mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-553
  • Исполнение корпуса
    ESV
  • Base Product Number
    RN1703

Техническая документация

 RN1703JE(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMF18XV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    37Кешбэк 5 баллов
    MUN5230DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    39Кешбэк 5 баллов
    MUN5214DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    40Кешбэк 6 баллов
    SMUN5113DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
    42Кешбэк 6 баллов
    MUN5211DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5235DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    43Кешбэк 6 баллов
    SMUN5311DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    MUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5111DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5212DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5115DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5213DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5333DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5312DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5234DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5231DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5236DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    SMUN5131DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5215DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NSTB60BDW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    MUN5315DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5216DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5135DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5130DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5335DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    SMUN5237DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
    46Кешбэк 6 баллов
    MUN5334DW1T1GТранзистор
    46Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП