Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
RN1910FE,LF(CT
  • В избранное
  • В сравнение
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT
;
RN1910FE,LF(CT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1910FE,LF(CT
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Все характеристики

Минимальная цена RN1910FE,LF(CT при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1910FE,LF(CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1910FE,LF(CT

RN1910FE, LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Разъем: LF(CT)
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря качественному производству Toshiba
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Низкая мощность (0.1 Вт), что ограничивает его применение в высокомощных устройствах
    • Требует дополнительного предварительного подавления напряжения для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в логических схемах и цифровых устройствах
    • Регулировка тока в электронных цепях
    • Преобразование уровней сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления освещением
    • Цифровые часы и другие небольшие электронные устройства
    • Маломощные цифровые радиоприемники и передатчики
Выбрано: Показать

Характеристики RN1910FE,LF(CT

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    100mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Base Product Number
    RN1910

Техническая документация

 RN1910FE,LF(CT.pdf
pdf. 0 kb
  • 5320 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 ₽
  • 100
    16 ₽
  • 1000
    10.4 ₽
  • 4000
    8.3 ₽
  • 24000
    5.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    RN1910FE,LF(CT
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Все характеристики

Минимальная цена RN1910FE,LF(CT при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN1910FE,LF(CT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN1910FE,LF(CT

RN1910FE, LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Разъем: LF(CT)
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря качественному производству Toshiba
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Низкая мощность (0.1 Вт), что ограничивает его применение в высокомощных устройствах
    • Требует дополнительного предварительного подавления напряжения для правильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в логических схемах и цифровых устройствах
    • Регулировка тока в электронных цепях
    • Преобразование уровней сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления освещением
    • Цифровые часы и другие небольшие электронные устройства
    • Маломощные цифровые радиоприемники и передатчики
Выбрано: Показать

Характеристики RN1910FE,LF(CT

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    100mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Base Product Number
    RN1910

Техническая документация

 RN1910FE,LF(CT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMA9640T0RТранзистор: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
    133Кешбэк 19 баллов
    NSBA114TDXV6T5Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    PBLS1504V,115Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    39Кешбэк 5 баллов
    NSBC143ZPDP6T5GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
    63Кешбэк 9 баллов
    SMUN5233DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    PUMH10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PEMD20,115Транзистор
    14.8Кешбэк 2 балла
    RN2506(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
    59Кешбэк 8 баллов
    PUMH17,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    PUMD9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    41Кешбэк 6 баллов
    PUMD12,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    35Кешбэк 5 баллов
    UMG9NTRТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
    85Кешбэк 12 баллов
    EMG3T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
    70Кешбэк 10 баллов
    NSVMUN5316DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NSB1706DMW5T1GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
    50Кешбэк 7 баллов
    NSBC114EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    SMUN5335DW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    PEMB10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
    87Кешбэк 13 баллов
    SMUN5335DW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    DDA114EU-7-FТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    EMB2T2RТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
    98Кешбэк 14 баллов
    EMA5T2RТранзистор
    72Кешбэк 10 баллов
    EMH3T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
    98Кешбэк 14 баллов
    EMH6T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
    39Кешбэк 5 баллов
    EMG11T2RТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
    94Кешбэк 14 баллов
    PQMH9ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
    9.3Кешбэк 1 балл
    MUN5311DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PEMD19,115Транзистор
    9.3Кешбэк 1 балл
    PBLS2023D,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
    28Кешбэк 4 балла
    PUMD48,125Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
    44.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП