Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RN2709,LF

RN2709,LF

RN2709,LF
;
RN2709,LF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN2709,LF
  • Описание:
    Транзистор: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOHВсе характеристики

Минимальная цена RN2709,LF при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN2709,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN2709,LF

RN2709, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Мощность: BRT (высокий рабочий ток)
    • Резистивность базы-эмиттера: 22 кОм
    • Резистивность базы-коллектора: 47 кОм
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Универсальность применения
  • Минусы:
    • Высокое энергопотребление при работе
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Управление нагрузками
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные часы и другие низкосерийные устройства
    • Системы управления светом и освещением
Выбрано: Показать

Характеристики RN2709,LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    200MHz
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    USV
  • Base Product Number
    RN2709

Техническая документация

RN2709,LF.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN2709,LF
  • Описание:
    Транзистор: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOHВсе характеристики

Минимальная цена RN2709,LF при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN2709,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN2709,LF

RN2709, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Мощность: BRT (высокий рабочий ток)
    • Резистивность базы-эмиттера: 22 кОм
    • Резистивность базы-коллектора: 47 кОм
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Универсальность применения
  • Минусы:
    • Высокое энергопотребление при работе
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Управление нагрузками
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электронные часы и другие низкосерийные устройства
    • Системы управления светом и освещением
Выбрано: Показать

Характеристики RN2709,LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    47kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    200MHz
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    USV
  • Base Product Number
    RN2709

Техническая документация

RN2709,LF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории