Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)
;
RN2712JE(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN2712JE(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVВсе характеристики

Минимальная цена RN2712JE(TE85L,F) при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN2712JE(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor и Storage Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Основные параметры:
    • Тип: 2ПНП (двойной пинтодиодный пентагейт)
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Пре-смещение: Да
    • Марка: RN2712JE
    • Производитель: Toshiba Semiconductor и Storage
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Небольшой размер и легкий вес
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Цена может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Импульсные преобразователи
    • Стабилизаторы напряжения
    • Регуляторы питания
    • Коммутирующие драйверы
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Системы управления освещением
    • Инверторы
    • Диагностические системы
Выбрано: Показать

Характеристики RN2712JE(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    200MHz
  • Рассеивание мощности
    100mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-553
  • Исполнение корпуса
    ESV
  • Base Product Number
    RN2712

Техническая документация

RN2712JE(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN2712JE(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVВсе характеристики

Минимальная цена RN2712JE(TE85L,F) при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN2712JE(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor и Storage Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

  • Основные параметры:
    • Тип: 2ПНП (двойной пинтодиодный пентагейт)
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Пре-смещение: Да
    • Марка: RN2712JE
    • Производитель: Toshiba Semiconductor и Storage
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Небольшой размер и легкий вес
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу
    • Цена может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Импульсные преобразователи
    • Стабилизаторы напряжения
    • Регуляторы питания
    • Коммутирующие драйверы
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Системы управления освещением
    • Инверторы
    • Диагностические системы
Выбрано: Показать

Характеристики RN2712JE(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    200MHz
  • Рассеивание мощности
    100mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-553
  • Исполнение корпуса
    ESV
  • Base Product Number
    RN2712

Техническая документация

RN2712JE(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории