Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
RN2903FE(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
RN2903FE(TE85L,F)

RN2903FE(TE85L,F)

RN2903FE(TE85L,F)
;
RN2903FE(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN2903FE(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6Все характеристики

Минимальная цена RN2903FE(TE85L,F) при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN2903FE(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN2903FE(TE85L,F)

Транзистор RN2903FE(TE85L,F) производства Toshiba Semiconductor and Storage является двухполярным транзистором, собранным по схеме PNP. Он предназначен для предварительного смещения (prebias) и имеет рассеиваемую мощность 0.1 Вт. Корпус - ES6.

  • Основные параметры:
  • Тип транзистора: PNP
  • Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vceo): Обычно около -40В (требуется datasheet для точного значения)
  • Ток коллектора максимальный (Ic): Обычно около -100мА (требуется datasheet для точного значения)
  • Коэффициент усиления по току (hFE): Зависит от режима работы, обычно в диапазоне 100-300 (требуется datasheet)
  • Рассеиваемая мощность (Pd): 0.1 Вт
  • Корпус: ES6

Плюсы:

  • Низкая стоимость
  • Компактный размер
  • Подходит для простых схем

Минусы:

  • Относительно низкая мощность
  • Ограниченные параметры по напряжению и току

Общее назначение:

Транзистор RN2903FE используется в качестве усилителя и переключателя в различных электронных схемах, особенно в тех, где требуется низкое энергопотребление и небольшие размеры.

Применение:

  • Усилители низкой мощности
  • Схемы управления
  • Драйверы реле
  • Логические схемы
  • Бытовая электроника (например, радиоприемники, игрушки)
Выбрано: Показать

Характеристики RN2903FE(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    22kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    200MHz
  • Рассеивание мощности
    100mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Base Product Number
    RN2903

Техническая документация

 RN2903FE(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    RN2903FE(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6Все характеристики

Минимальная цена RN2903FE(TE85L,F) при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RN2903FE(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RN2903FE(TE85L,F)

Транзистор RN2903FE(TE85L,F) производства Toshiba Semiconductor and Storage является двухполярным транзистором, собранным по схеме PNP. Он предназначен для предварительного смещения (prebias) и имеет рассеиваемую мощность 0.1 Вт. Корпус - ES6.

  • Основные параметры:
  • Тип транзистора: PNP
  • Напряжение коллектор-эмиттер максимальное (Vceo): Обычно около -40В (требуется datasheet для точного значения)
  • Ток коллектора максимальный (Ic): Обычно около -100мА (требуется datasheet для точного значения)
  • Коэффициент усиления по току (hFE): Зависит от режима работы, обычно в диапазоне 100-300 (требуется datasheet)
  • Рассеиваемая мощность (Pd): 0.1 Вт
  • Корпус: ES6

Плюсы:

  • Низкая стоимость
  • Компактный размер
  • Подходит для простых схем

Минусы:

  • Относительно низкая мощность
  • Ограниченные параметры по напряжению и току

Общее назначение:

Транзистор RN2903FE используется в качестве усилителя и переключателя в различных электронных схемах, особенно в тех, где требуется низкое энергопотребление и небольшие размеры.

Применение:

  • Усилители низкой мощности
  • Схемы управления
  • Драйверы реле
  • Логические схемы
  • Бытовая электроника (например, радиоприемники, игрушки)
Выбрано: Показать

Характеристики RN2903FE(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    22kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    200MHz
  • Рассеивание мощности
    100mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    ES6
  • Base Product Number
    RN2903

Техническая документация

 RN2903FE(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMA6DXV5T5GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC113EDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC143TDXV6T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA114TDXV6T5Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA144WDP6T5GТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA114EDXV6T5Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA144EDXV6T5Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC143ZPDXV6T5Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5116DW1T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    MUN5114DW1T1TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC123JPDXV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EPDXV6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    MUN5315DW1T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    MUN5212DW1T1Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC114TDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC114YDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBC114YPDXV6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSTB60BDW1T1Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
    14.8Кешбэк 2 балла
    MUN5311DW1T1Транзистор
    14.8Кешбэк 2 балла
    EMA6DXV5T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
    16Кешбэк 2 балла
    NSVMUN5133DW1T1GТранзистор
    16Кешбэк 2 балла
    NSBC115TPDP6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBC123TPDP6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBA123TDP6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBA115TDP6T5GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBC143ZDXV6T5GТранзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
    16.7Кешбэк 2 балла
    NSBC143EPDXV6T1TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    16.8Кешбэк 2 балла
    NSBC114YPDXV6T1
    16.8Кешбэк 2 балла
    NSBC124EPDXV6T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    16.8Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП