Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB
;
RQ3E100GNTB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RQ3E100GNTB при покупке от 1 шт 126.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ3E100GNTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 10А
    • Тип транзистора: N-канальный
    • Количество элементов: 8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления (RD(on))
    • Малый размер и легкость
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для использования в высокочастотных приложениях без дополнительной компенсации
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Передача сигнала в цифровых системах
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Питание серверных систем
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики RQ3E100GNTB

Техническая документация

RQ3E100GNTB.pdf
pdf. 0 kb
  • 1164 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    126 ₽
  • 100
    51 ₽
  • 1000
    35 ₽
  • 6000
    26.3 ₽
  • 24000
    22.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RQ3E100GNTB при покупке от 1 шт 126.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ3E100GNTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток (ID(on)): 10А
    • Тип транзистора: N-канальный
    • Количество элементов: 8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления (RD(on))
    • Малый размер и легкость
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для использования в высокочастотных приложениях без дополнительной компенсации
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Передача сигнала в цифровых системах
    • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Питание серверных систем
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики RQ3E100GNTB

Техническая документация

RQ3E100GNTB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории