Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
RQ5E040RPTL
  • В избранное
  • В сравнение
RQ5E040RPTL

RQ5E040RPTL

RQ5E040RPTL
;
RQ5E040RPTL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RQ5E040RPTL
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3Все характеристики

Минимальная цена RQ5E040RPTL при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ5E040RPTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ5E040RPTL

RQ5E040RPTL ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) производства ROHM Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный (P-CH)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Разрядная способность: 4А
    • Обозначение типа пакета: TSMT3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий коэффициент сопротивления в ON-состоянии
    • Малый размер и легкость в интеграции
    • Высокая эффективность в работе
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения при больших нагрузках
    • Существуют ограничения по максимальному току и напряжению
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах для управления двигателем
    • Программируемых логических устройствах (PLD)
    • Цифровых и аналоговых системах
Выбрано: Показать

Характеристики RQ5E040RPTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT3
  • Корпус
    SC-96
  • Base Product Number
    RQ5E040

Техническая документация

 RQ5E040RPTL.pdf
pdf. 0 kb
  • 3997 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    156 ₽
  • 100
    73 ₽
  • 1000
    54 ₽
  • 6000
    43 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RQ5E040RPTL
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3Все характеристики

Минимальная цена RQ5E040RPTL при покупке от 1 шт 156.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ5E040RPTL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ5E040RPTL

RQ5E040RPTL ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3 — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) производства ROHM Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный (P-CH)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Разрядная способность: 4А
    • Обозначение типа пакета: TSMT3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкий коэффициент сопротивления в ON-состоянии
    • Малый размер и легкость в интеграции
    • Высокая эффективность в работе
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения при больших нагрузках
    • Существуют ограничения по максимальному току и напряжению
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов между различными цепями
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах для управления двигателем
    • Программируемых логических устройствах (PLD)
    • Цифровых и аналоговых системах
Выбрано: Показать

Характеристики RQ5E040RPTL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT3
  • Корпус
    SC-96
  • Base Product Number
    RQ5E040

Техническая документация

 RQ5E040RPTL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SUM70060E-GE3MOSFET N-CH 100V 131A TO263
    521Кешбэк 78 баллов
    DMN10H220LQ-13MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
    70Кешбэк 10 баллов
    TSM150NB04LCR RLGMOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
    211Кешбэк 31 балл
    IPL60R365P7AUMA1MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
    224Кешбэк 33 балла
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    406Кешбэк 60 баллов
    SQJ126EP-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
    448Кешбэк 67 баллов
    IRL40T209ATMA1MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
    569Кешбэк 85 баллов
    2SJ143(04)-S6-AZP-CHANNEL POWER MOSFET
    382Кешбэк 57 баллов
    TK31V60W5,LVQMOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
    949Кешбэк 142 балла
    NTTFS008P03P8ZMOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
    432Кешбэк 64 балла
    SI4434ADY-T1-GE3MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
    515Кешбэк 77 баллов
    BSC320N20NS3GATMA1MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
    445Кешбэк 66 баллов
    SSM3K347R,LFMOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
    54Кешбэк 8 баллов
    SI1317DL-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 1.4A/1.4A SC70-3
    54Кешбэк 8 баллов
    BSC0901NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
    309Кешбэк 46 баллов
    IRFR2607ZTRPBFMOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    296Кешбэк 44 балла
    FDS7766SSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    419Кешбэк 62 балла
    ISL9N327AD3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    154Кешбэк 23 балла
    NDS9400P-CHANNEL POWER MOSFET
    154Кешбэк 23 балла
    BSC13DN30NSFDATMA1MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
    393Кешбэк 58 баллов
    IPLK60R1K5PFD7ATMA1MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
    128Кешбэк 19 баллов
    IPLK70R1K4P7ATMA1MOSFET N-CH 700V TDSON-8
    248Кешбэк 37 баллов
    IPLK80R2K0P7ATMA1MOSFET 800V TDSON-8
    90Кешбэк 13 баллов
    2SK2851TZ-ESMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    241Кешбэк 36 баллов
    NP35N055YUK-E1-AYMOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
    124Кешбэк 18 баллов
    NP90N04VLK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 90A TO252
    474Кешбэк 71 балл
    UPA1728G(0)-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    196Кешбэк 29 баллов
    UPA2709AGR-E1-ATMOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
    161Кешбэк 24 балла
    UPA2718AGR-E2-ATMOSFET P-CH 30V 13A 8PSOP
    276Кешбэк 41 балл
    UPA2714GR-E1-AP-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET
    293Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП