Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
RQ6A045APTCR
  • В избранное
  • В сравнение
RQ6A045APTCR

RQ6A045APTCR

RQ6A045APTCR
;
RQ6A045APTCR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RQ6A045APTCR
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6Все характеристики

Минимальная цена RQ6A045APTCR при покупке от 1 шт 174.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6A045APTCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ6A045APTCR

RQ6A045APTCR — это полупроводниковый транзистор MOSFET с положительным зарядом канала (P-канальный), производимый компанией Rohm Semiconductor. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 12 В
  • Максимальный ток нагрузки ID: 4,5 А
  • Тип устройства: TSMT6 (Trench-Structure Metal-Semiconductor Transistor)

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе с напряжением до 12 В.
  • Высокая скорость переключения.
  • Долгий срок службы благодаря качественному исполнению.
  • Устойчивость к шумам и помехам.

Минусы:

  • Не рекомендуется для высокоточной работы при напряжении выше 12 В.
  • Требует дополнительного охлаждения при длительной работе под нагрузкой.

Общее назначение:

  • Используется для управления токами в электронных устройствах.
  • Подходит для систем питания и управления мощностью.
  • Используется в различных приложениях, где требуется управление током с низким сопротивлением в ON-режиме.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Промышленное оборудование.
  • Мощные системы питания.
  • Инверторы и преобразователи.
  • Системы управления электродвигателями.
Выбрано: Показать

Характеристики RQ6A045APTCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4200 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    950mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6A045

Техническая документация

 RQ6A045APTCR.pdf
pdf. 0 kb
  • 2733 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    174 ₽
  • 100
    71 ₽
  • 1000
    49 ₽
  • 6000
    36 ₽
  • 15000
    34 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RQ6A045APTCR
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6Все характеристики

Минимальная цена RQ6A045APTCR при покупке от 1 шт 174.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6A045APTCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ6A045APTCR

RQ6A045APTCR — это полупроводниковый транзистор MOSFET с положительным зарядом канала (P-канальный), производимый компанией Rohm Semiconductor. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS(on): 12 В
  • Максимальный ток нагрузки ID: 4,5 А
  • Тип устройства: TSMT6 (Trench-Structure Metal-Semiconductor Transistor)

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе с напряжением до 12 В.
  • Высокая скорость переключения.
  • Долгий срок службы благодаря качественному исполнению.
  • Устойчивость к шумам и помехам.

Минусы:

  • Не рекомендуется для высокоточной работы при напряжении выше 12 В.
  • Требует дополнительного охлаждения при длительной работе под нагрузкой.

Общее назначение:

  • Используется для управления токами в электронных устройствах.
  • Подходит для систем питания и управления мощностью.
  • Используется в различных приложениях, где требуется управление током с низким сопротивлением в ON-режиме.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Промышленное оборудование.
  • Мощные системы питания.
  • Инверторы и преобразователи.
  • Системы управления электродвигателями.
Выбрано: Показать

Характеристики RQ6A045APTCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4200 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    950mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6A045

Техническая документация

 RQ6A045APTCR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPA60R360P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
    382Кешбэк 57 баллов
    BSC014N04LSTATMA1MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC190N15NS3GATMA1MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
    383Кешбэк 57 баллов
    BSC0702LSATMA1MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
    385Кешбэк 57 баллов
    IPD80R600P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
    387Кешбэк 58 баллов
    IPAN60R210PFD7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220
    387Кешбэк 58 баллов
    IPA082N10NF2SXKSA1TRENCH >=100V PG-TO220-3
    387Кешбэк 58 баллов
    BSC109N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD70N12S311ATMA1MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
    389Кешбэк 58 баллов
    BSC070N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
    389Кешбэк 58 баллов
    IPD85P04P4L06ATMA2MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
    391Кешбэк 58 баллов
    IPD90P03P404ATMA2MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
    393Кешбэк 58 баллов
    IPG20N04S4-08IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
    395Кешбэк 59 баллов
    IPD90R1K2C3ATMA2MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
    395Кешбэк 59 баллов
    ISC0802NLSATMA1MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
    395Кешбэк 59 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    396Кешбэк 59 баллов
    ISZ080N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
    398Кешбэк 59 баллов
    IPB123N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
    398Кешбэк 59 баллов
    ISC0702NLSATMA1MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
    400Кешбэк 60 баллов
    BSZ040N06LS5ATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    402Кешбэк 60 баллов
    IPC100N04S5L1R5ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    406Кешбэк 60 баллов
    IPD90N03S4L03ATMA1MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
    406Кешбэк 60 баллов
    BSZ16DN25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    408Кешбэк 61 балл
    BSZ096N10LS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
    411Кешбэк 61 балл
    BSC016N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
    411Кешбэк 61 балл
    ISC0602NLSATMA1MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
    411Кешбэк 61 балл
    IPP60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    411Кешбэк 61 балл
    IPD380P06NMATMA1MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
    413Кешбэк 61 балл
    IPP50R190CEXKSA1MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
    415Кешбэк 62 балла
    ISC012N04NM6ATMA1TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
    419Кешбэк 62 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП