Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
RQ6E030ATTCR
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RQ6E030ATTCR
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6Все характеристики

Минимальная цена RQ6E030ATTCR при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6E030ATTCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RQ6E030ATTCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    91mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.4 nC @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    240 pF @ 15 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6E030
Техническая документация
 RQ6E030ATTCR.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 590 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    146 ₽
  • 100
    58 ₽
  • 1000
    40 ₽
  • 6000
    31.6 ₽
  • 15000
    28.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RQ6E030ATTCR
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6Все характеристики

Минимальная цена RQ6E030ATTCR при покупке от 1 шт 146.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6E030ATTCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики RQ6E030ATTCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    91mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.4 nC @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    240 pF @ 15 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6E030
Техническая документация
 RQ6E030ATTCR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC0904NSIATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
    211Кешбэк 31 балл
    HUF75639P3-F102MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
    525Кешбэк 78 баллов
    RQ5C030TPTLMOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    RSJ400N06FRATLMOSFET N-CH 60V 40A LPTS
    399Кешбэк 59 баллов
    IRF9522P-CHANNEL POWER MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    2SK3055-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    419Кешбэк 62 балла
    SIHB17N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    RF4L040ATTCRДиод: PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
    139Кешбэк 20 баллов
    SI4850BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
    182Кешбэк 27 баллов
    RQ5A025ZPTLMOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
    115Кешбэк 17 баллов
    DMP4010SK3-13MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO252
    301Кешбэк 45 баллов
    IPD60R360P7ATMA1MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
    100Кешбэк 15 баллов
    GT060N04D3N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
    193Кешбэк 28 баллов
    PXN5R4-30QLJPXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
    84Кешбэк 12 баллов
    IPLK80R750P7ATMA1MOSFET 800V TDSON-8
    189Кешбэк 28 баллов
    STW7N90K5MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3
    590Кешбэк 88 баллов
    DMG1013TQ-7MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
    53Кешбэк 7 баллов
    FDPF7N50U-GMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    167Кешбэк 25 баллов
    SQJ402EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
    256Кешбэк 38 баллов
    BSZ065N06LS5ATMA1MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
    276Кешбэк 41 балл
    IRF840BPBF-BE3MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    355Кешбэк 53 балла
    SIS822DNT-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
    84Кешбэк 12 баллов
    DMN2025U-7MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
    60Кешбэк 9 баллов
    NTMFS5H610NLT1GMOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN
    210Кешбэк 31 балл
    SI3457CDV-T1-BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    138Кешбэк 20 баллов
    G12P04KP40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
    148Кешбэк 22 балла
    TSM160P02CS RLGMOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
    190Кешбэк 28 баллов
    SIUD401ED-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
    80Кешбэк 12 баллов
    SISS10ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
    272Кешбэк 40 баллов
    BSC016N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
    405Кешбэк 60 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП