Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
RQ6E035SPTR
  • В избранное
  • В сравнение
RQ6E035SPTR

RQ6E035SPTR

RQ6E035SPTR
;
RQ6E035SPTR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RQ6E035SPTR
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6Все характеристики

Минимальная цена RQ6E035SPTR при покупке от 1 шт 119.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6E035SPTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ6E035SPTR

RQ6E035SPTR ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 — это полупроводниковый транзистор с полупроводниковым оконечным эффектом (MOSFET) для каналов P-канального типа. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение VDS: 30В
  • Номинальный ток ID: 3.5А
  • Тип канала: P-канальный (P-Channel)
  • Обозначение: RQ6E035SPTR
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Серия: TSMT6

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малое энергетическое затратное сопротивление при открытом состоянии
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Малые размеры и вес

Минусы:

  • Необходимость использования дополнительных компонентов для управления
  • При неправильном использовании может возникнуть обратный проводимость
  • Относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах для управления током
  • Регулировка мощности в системах питания
  • Применение в инверторах и преобразователях напряжения
  • Контроль тока в источниках питания

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Портативные устройства
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики RQ6E035SPTR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    780 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    950mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6E035

Техническая документация

 RQ6E035SPTR.pdf
pdf. 0 kb
  • 6666 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    119 ₽
  • 100
    69 ₽
  • 1000
    52 ₽
  • 6000
    43 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RQ6E035SPTR
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6Все характеристики

Минимальная цена RQ6E035SPTR при покупке от 1 шт 119.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6E035SPTR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ6E035SPTR

RQ6E035SPTR ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6 — это полупроводниковый транзистор с полупроводниковым оконечным эффектом (MOSFET) для каналов P-канального типа. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение VDS: 30В
  • Номинальный ток ID: 3.5А
  • Тип канала: P-канальный (P-Channel)
  • Обозначение: RQ6E035SPTR
  • Производитель: ROHM Semiconductor
  • Серия: TSMT6

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малое энергетическое затратное сопротивление при открытом состоянии
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Малые размеры и вес

Минусы:

  • Необходимость использования дополнительных компонентов для управления
  • При неправильном использовании может возникнуть обратный проводимость
  • Относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах для управления током
  • Регулировка мощности в системах питания
  • Применение в инверторах и преобразователях напряжения
  • Контроль тока в источниках питания

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Портативные устройства
  • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики RQ6E035SPTR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    780 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    950mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6E035

Техническая документация

 RQ6E035SPTR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPD60R800CEAUMA1CONSUMER
    211Кешбэк 31 балл
    IAUC100N04S6L014ATMA1IAUC100N04S6L014ATMA1
    334Кешбэк 50 баллов
    IPB073N15N5ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
    513Кешбэк 76 баллов
    BSC074N15NS5ATMA1MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3
    841Кешбэк 126 баллов
    IAUC100N04S6N028ATMA1IAUC100N04S6N028ATMA1
    183Кешбэк 27 баллов
    IPDD60R190G7XTMA1MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
    587Кешбэк 88 баллов
    IPD60R380E6ATMA2MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    176Кешбэк 26 баллов
    IPN80R2K4P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
    202Кешбэк 30 баллов
    IAUZ20N08S5L300ATMA1MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
    185Кешбэк 27 баллов
    ISC0805NLSATMA1MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
    291Кешбэк 43 балла
    IAUS260N10S5N019TATMA1MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
    1 103Кешбэк 165 баллов
    IPN80R750P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
    276Кешбэк 41 балл
    BSC010NE2LSIATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
    345Кешбэк 51 балл
    IPB120P04P404ATMA2MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
    604Кешбэк 90 баллов
    BSZ063N04LS6ATMA1MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
    135Кешбэк 20 баллов
    IPD053N06NATMA1MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
    119Кешбэк 17 баллов
    IPD60R280P7SAUMA1MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
    267Кешбэк 40 баллов
    ISP13DP06NMSATMA1MOSFET P-CH 60V SOT223
    172Кешбэк 25 баллов
    IRL80HS120MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
    165Кешбэк 24 балла
    SPP15N65C3XKSA1N-CHANNEL POWER MOSFET
    380Кешбэк 57 баллов
    IPD90P03P4L04ATMA2MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
    473Кешбэк 70 баллов
    IAUC80N04S6L032ATMA1IAUC80N04S6L032ATMA1
    222Кешбэк 33 балла
    ISZ0703NLSATMA1MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
    298Кешбэк 44 балла
    IPD80R280P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 17A TO252
    632Кешбэк 94 балла
    ISC028N04NM5ATMA140V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
    282Кешбэк 42 балла
    IAUT200N08S5N023ATMA1MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
    695Кешбэк 104 балла
    IAUC120N04S6L008ATMA1MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
    211Кешбэк 31 балл
    IPP100N12S305AKSA1MOSFET N-CHANNEL_100+
    736Кешбэк 110 баллов
    IAUC120N04S6N006ATMA1IAUC120N04S6N006ATMA1
    571Кешбэк 85 баллов
    BSC028N06NSSCATMA1MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
    606Кешбэк 90 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП