Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
RQ6E085BNTCR
  • В избранное
  • В сравнение
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR
;
RQ6E085BNTCR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RQ6E085BNTCR
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457Все характеристики

Минимальная цена RQ6E085BNTCR при покупке от 1 шт 169.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6E085BNTCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) производства Rohm Semiconductor. Это тип транзистора, используемого для управления током между двумя электродами, приложенным напряжением к третьей точке (каналу).

  • Напряжение гатта-сурса (VGS): 30В
  • Ток проводимости (ID): 8.5А
  • Пакет: SOT457

Плюсы:

  • Высокая проводимость
  • Низкое сопротивление
  • Малый размер и легкость в установке
  • Высокая надежность и стабильность работы

Минусы:

  • Наличие ограничений по напряжению и току
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева

Общее назначение: RQ6E085BNTCR используется для управления током в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкий уровень утечки тока.

Применение: этот тип MOSFET может использоваться в:

  • Системах питания
  • Инверторах
  • Усилителях сигнала
  • Автомобильных системах
  • Маломощных преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики RQ6E085BNTCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4mOhm @ 8.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1350 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6E085

Техническая документация

 RQ6E085BNTCR.pdf
pdf. 0 kb
  • 1844 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    169 ₽
  • 100
    100 ₽
  • 1000
    79 ₽
  • 6000
    64 ₽
  • 15000
    61 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    RQ6E085BNTCR
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457Все характеристики

Минимальная цена RQ6E085BNTCR при покупке от 1 шт 169.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RQ6E085BNTCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) производства Rohm Semiconductor. Это тип транзистора, используемого для управления током между двумя электродами, приложенным напряжением к третьей точке (каналу).

  • Напряжение гатта-сурса (VGS): 30В
  • Ток проводимости (ID): 8.5А
  • Пакет: SOT457

Плюсы:

  • Высокая проводимость
  • Низкое сопротивление
  • Малый размер и легкость в установке
  • Высокая надежность и стабильность работы

Минусы:

  • Наличие ограничений по напряжению и току
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрева

Общее назначение: RQ6E085BNTCR используется для управления током в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и низкий уровень утечки тока.

Применение: этот тип MOSFET может использоваться в:

  • Системах питания
  • Инверторах
  • Усилителях сигнала
  • Автомобильных системах
  • Маломощных преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики RQ6E085BNTCR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4mOhm @ 8.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1350 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TSMT6 (SC-95)
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    RQ6E085

Техническая документация

 RQ6E085BNTCR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STW24N60M6MOSFET N-CH 600V TO247
    754Кешбэк 113 баллов
    NVMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    2 081Кешбэк 312 баллов
    SUM90220E-GE3MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
    413Кешбэк 61 балл
    AOTF190A60CLMOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    595Кешбэк 89 баллов
    IPB65R150CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
    797Кешбэк 119 баллов
    IRFF211N-CHANNEL POWER MOSFET
    315Кешбэк 47 баллов
    IPB60R099P7ATMA1MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK
    798Кешбэк 119 баллов
    SPW15N60C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
    1 009Кешбэк 151 балл
    SQD10N30-330H_GE3MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
    328Кешбэк 49 баллов
    NTHL160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
    1 104Кешбэк 165 баллов
    SIHA21N80AEF-GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
    272Кешбэк 40 баллов
    G3R60MT07D750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
    1 879Кешбэк 281 балл
    NTTFS024N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
    132Кешбэк 19 баллов
    SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
    872Кешбэк 130 баллов
    DMTH8012LPSW-13MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
    241Кешбэк 36 баллов
    XP151A12A2MR-GMOSFET N-CH 20V 1A SOT23
    143Кешбэк 21 балл
    C3M0045065DGEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
    2 464Кешбэк 369 баллов
    2SK2935-93-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    728Кешбэк 109 баллов
    RQ5E070BNTCLMOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
    111Кешбэк 16 баллов
    FDBL86063-F085MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
    1 451Кешбэк 217 баллов
    UF3SC120016K3SТранзистор: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
    10 456Кешбэк 1 568 баллов
    IPB70N10S312ATMA1MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
    685Кешбэк 102 балла
    2SJ135-AZP-CHANNEL POWER MOSFET
    452Кешбэк 67 баллов
    SIHFR9310TRR-GE3MOSFET P-CHANNEL 400V
    222Кешбэк 33 балла
    BSS84-TPТранзистор: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
    37.5Кешбэк 5 баллов
    IPP024N08NF2SAKMA1TRENCH 40<-<100V
    621Кешбэк 93 балла
    IPB80N06S407ATMA2MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
    333Кешбэк 49 баллов
    TSM2301ACX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
    114Кешбэк 17 баллов
    SQ2319ADS-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
    204Кешбэк 30 баллов
    NVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
    2 177Кешбэк 326 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП