Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
RRH090P03GZETB

RRH090P03GZETB

RRH090P03GZETB
;
RRH090P03GZETB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена RRH090P03GZETB при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RRH090P03GZETB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RRH090P03GZETB

RRH090P03GZETB — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от Rohm Semiconductor. Основные характеристики:

  • Тип: P-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 9А
  • Количество выводов: 8
  • Пакет: 8SOP (8-Lead Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении
  • Малый размер и легкий вес
  • Долгий срок службы из-за малого тепловыделения

Минусы:

  • Уязвимость к электрическому шуму
  • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Зависимость характеристик от температуры

Общее назначение: MOSFET RRH090P03GZETB используется для управления электрическими цепями, обеспечения высокой скорости включения/выключения и уменьшения энергопотребления. Он широко применяется в различных устройствах:

  • Автомобильной электронике
  • Электропитании
  • Инверторах
  • Регуляторах напряжения
  • Использовании в бытовой технике и электронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики RRH090P03GZETB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15.4mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    650mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    RRH090
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена RRH090P03GZETB при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RRH090P03GZETB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RRH090P03GZETB

RRH090P03GZETB — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от Rohm Semiconductor. Основные характеристики:

  • Тип: P-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 9А
  • Количество выводов: 8
  • Пакет: 8SOP (8-Lead Small Outline Package)

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком сопротивлении
  • Малый размер и легкий вес
  • Долгий срок службы из-за малого тепловыделения

Минусы:

  • Уязвимость к электрическому шуму
  • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Зависимость характеристик от температуры

Общее назначение: MOSFET RRH090P03GZETB используется для управления электрическими цепями, обеспечения высокой скорости включения/выключения и уменьшения энергопотребления. Он широко применяется в различных устройствах:

  • Автомобильной электронике
  • Электропитании
  • Инверторах
  • Регуляторах напряжения
  • Использовании в бытовой технике и электронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики RRH090P03GZETB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15.4mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    650mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    RRH090

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории