Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
RS1GHE3_A/H
  • В избранное
  • В сравнение
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H
;
RS1GHE3_A/H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    RS1GHE3_A/H
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена RS1GHE3_A/H при покупке от 1 шт 65.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RS1GHE3_A/H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 400В
    • Номинальный ток: 1А
    • Форма корпуса: DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Относительно низкий ток непрерывной работы (1А)
    • Не предназначен для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Преобразование сигналов
    • Управление токами в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Телекоммуникационные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики RS1GHE3_A/H

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    150 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    RS1G

Техническая документация

 RS1GHE3_A/H.pdf
pdf. 0 kb
  • 7641 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    65 ₽
  • 100
    34.6 ₽
  • 1800
    13.6 ₽
  • 90000
    13.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    RS1GHE3_A/H
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена RS1GHE3_A/H при покупке от 1 шт 65.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RS1GHE3_A/H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 400В
    • Номинальный ток: 1А
    • Форма корпуса: DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Относительно низкий ток непрерывной работы (1А)
    • Не предназначен для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Преобразование сигналов
    • Управление токами в различных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Телекоммуникационные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики RS1GHE3_A/H

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    150 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    RS1G

Техническая документация

 RS1GHE3_A/H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    C3D02065EДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2
    211Кешбэк 31 балл
    C4D05120EДиод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2
    988Кешбэк 148 баллов
    C3D04065EДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO252-2
    456Кешбэк 68 баллов
    C3D06060GДиод: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2
    392Кешбэк 58 баллов
    C4D10120EДиод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
    1 462Кешбэк 219 баллов
    C3D03060AДиод: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2
    217Кешбэк 32 балла
    C3D03060FДиод: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-F2
    323Кешбэк 48 баллов
    C3D04065AДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
    330Кешбэк 49 баллов
    C4D10120AДиод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
    1 654Кешбэк 248 баллов
    C3D06065AДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
    590Кешбэк 88 баллов
    C3D10065IДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
    1 031Кешбэк 154 балла
    C3D08065AДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
    646Кешбэк 96 баллов
    C3D10065AДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
    885Кешбэк 132 балла
    MBR1050Диод: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 10A,
    149Кешбэк 22 балла
    MUR860Диод: RECTIFIER DIODE
    149Кешбэк 22 балла
    MBR10100Транзистор: DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC
    149Кешбэк 22 балла
    MBR1035Диод: 10A, 35V, TO-220AC, SCHOTTKY REC
    149Кешбэк 22 балла
    SUR1560Диод: DIODE SCHOTTKY 600V TO220AC
    146Кешбэк 21 балл
    1N4003-TДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO-41
    35.5Кешбэк 5 баллов
    1N4148-T
    18.7Кешбэк 2 балла
    FR106-TDIODE FAST 800V 1A DO-41
    47Кешбэк 7 баллов
    1N4007-TДиод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
    43Кешбэк 6 баллов
    FR605-TDIODE FAST 600V 6A R-6
    233Кешбэк 34 балла
    1N5822-T
    99Кешбэк 14 баллов
    6A4-TДиод: DIODE GEN PURP 400V 6A R6
    218Кешбэк 32 балла
    MMBD914DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
    67Кешбэк 10 баллов
    FR302-TDIODE FAST 100V 3A DO-201
    91Кешбэк 13 баллов
    HER305-TDIODE HIGH EFF 600V 3A DO-201
    136Кешбэк 20 баллов
    6A6-TДиод: DIODE GEN PURP 600V 6A R-6
    164Кешбэк 24 балла
    JAN1N3595-1DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35
    807Кешбэк 121 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП