RS1P600BHTB1

Разрешенная маркировка:

• RS1P600BHTB1 — модель MOSFET от производителя ROHM Semiconductor.

• NCH 100V 60A — характеристики MOSFET: номинальное напряжение (NCH) 100В и ток пропускания 60А.

• HSOP8 — тип пакета (High-Side Optimum Power Package).

• POWER MOSFE — тип элемента: полевая транзисторная мостовая диода (MOSFET).

Основные параметры:

• Номинальное напряжение: 100В.

• Ток пропускания: 60А.

• Тип пакета: HSOP8.

• Тип элемента: MOSFET.

Плюсы:

• Высокий ток пропускания (60А), что позволяет использовать его в устройствах с высоким потреблением энергии.

• Низкое напряжение ввода, что обеспечивает эффективную работу при низких напряжениях.

• Малый размер пакета (HSOP8), что удобно для компактного размещения на печатной плате.

• Высокая надежность благодаря качеству сборки и проверке производителем ROHM Semiconductor.

Минусы:

• Высокие температуры могут возникать при работе при больших нагрузках, что требует эффективного охлаждения.

• Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET, особенно для больших объемов.

Общее назначение:

• Контроль тока в электрических цепях.

• Переключение высоких напряжений.

• Использование в источниках питания.

• Применение в системах управления двигателей.

В каких устройствах применяется:

• Системах управления двигателей.

• Источниках питания для компьютеров и серверов.

• Автомобильных системах.

• Электронных устройствах с высокими требованиями к надежности и эффективности.