Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
RXH090N03TB1
  • В избранное
  • В сравнение
RXH090N03TB1

RXH090N03TB1

RXH090N03TB1
;
RXH090N03TB1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RXH090N03TB1
  • Описание:
    4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS AREВсе характеристики

Минимальная цена RXH090N03TB1 при покупке от 1 шт 283.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RXH090N03TB1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RXH090N03TB1

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка RXH090N03TB1:
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Тип: N-канальный MOSFET с низкимresholdом
      • Рейтинг напряжения: 4В
      • Рейтинг тока: 0,9А
      • Рейтинг мощности: 3Вт
      • Температурный диапазон: -40°C до +125°C
    • Основные параметры:
      • Низкийreshold (Vth) обеспечивает высокую эффективность работы
      • Высокий коэффициент передачи (gm) для быстрого отклика
      • Высокая частота переключения для применения в цифровых системах
      • Короткое время переключения для уменьшения энергопотерь
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность работы
      • Быстрый отклик
      • Устойчивость к шумам и помехам
      • Малый размер и легкость
    • Минусы:
      • Высокие требования к проектированию системы
      • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
      • Высокая цена по сравнению с обычными MOSFET
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
      • Применение в системах управления двигателей
      • Изоляция сигналов в цифровых цепях
      • Обеспечение быстрого переключения в источниках питания
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы управления двигателем
      • Цифровые системы управления
      • Питание периферийного оборудования
      • Промышленные контроллеры и системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики RXH090N03TB1

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    440 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Техническая документация

 RXH090N03TB1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4848 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    283 ₽
  • 10
    200 ₽
  • 100
    150 ₽
  • 1000
    110 ₽
  • 5000
    90 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    RXH090N03TB1
  • Описание:
    4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS AREВсе характеристики

Минимальная цена RXH090N03TB1 при покупке от 1 шт 283.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить RXH090N03TB1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание RXH090N03TB1

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Маркировка RXH090N03TB1:
      • Производитель: ROHM Semiconductor
      • Тип: N-канальный MOSFET с низкимresholdом
      • Рейтинг напряжения: 4В
      • Рейтинг тока: 0,9А
      • Рейтинг мощности: 3Вт
      • Температурный диапазон: -40°C до +125°C
    • Основные параметры:
      • Низкийreshold (Vth) обеспечивает высокую эффективность работы
      • Высокий коэффициент передачи (gm) для быстрого отклика
      • Высокая частота переключения для применения в цифровых системах
      • Короткое время переключения для уменьшения энергопотерь
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность работы
      • Быстрый отклик
      • Устойчивость к шумам и помехам
      • Малый размер и легкость
    • Минусы:
      • Высокие требования к проектированию системы
      • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
      • Высокая цена по сравнению с обычными MOSFET
    • Общее назначение:
      • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
      • Применение в системах управления двигателей
      • Изоляция сигналов в цифровых цепях
      • Обеспечение быстрого переключения в источниках питания
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы управления двигателем
      • Цифровые системы управления
      • Питание периферийного оборудования
      • Промышленные контроллеры и системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики RXH090N03TB1

  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    440 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Техническая документация

 RXH090N03TB1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PJQ5443_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    207Кешбэк 31 балл
    PJS6461-AU_S1_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    204Кешбэк 30 баллов
    PJD15P06A-AU_L2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4443P_R2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    195Кешбэк 29 баллов
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJA3440-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    PJA3402-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    106Кешбэк 15 баллов
    PJA3401_R1_00001SOT-23, MOSFET
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ2460_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов
    PJQ4441P-AU_R2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    202Кешбэк 30 баллов
    PJA3428_R1_00001SOT-23, MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    PJQ4468AP_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    233Кешбэк 34 балла
    PJW5P06A-AU_R2_000A160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    187Кешбэк 28 баллов
    PJA3404-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    PJQ4408P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    141Кешбэк 21 балл
    PJQ4408P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    152Кешбэк 22 балла
    PJQ4410P_R2_0000130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    124Кешбэк 18 баллов
    PJD50P04_L2_0000140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    220Кешбэк 33 балла
    PJC7409_R1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    63Кешбэк 9 баллов
    PJQ4460AP-AU_R2_000A160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    137Кешбэк 20 баллов
    PJE8438_R1_0000150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    83Кешбэк 12 баллов
    PJQ4402P-AU_R2_000A130V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    196Кешбэк 29 баллов
    PJD50P04-AU_L2_000A140V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    293Кешбэк 43 балла
    PJE138L_R1_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    72Кешбэк 10 баллов
    PJQ5465A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    180Кешбэк 27 баллов
    PJA3439-AU_R1_000A1SOT-23, MOSFET
    67Кешбэк 10 баллов
    PJW4P06A_R2_0000160V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    111Кешбэк 16 баллов
    PJW7N06A_R2_0000160V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    148Кешбэк 22 балла
    PJS6415_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    100Кешбэк 15 баллов
    PJQ5423_R2_0000130V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    206Кешбэк 30 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП