Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
S12MCHV7G

S12MCHV7G

S12MCHV7G
;
S12MCHV7G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена S12MCHV7G при покупке от 1 шт 145.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S12MCHV7G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S12MCHV7G

S12MCHV7G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение (VBR): 1 кВ
    • Рейтингный ток (ISM): 12 А
    • Тип корпуса: DO214AB
  • Плюсы:
    • Высокое максимальное напряжение (1 кВ)
    • Высокий рейтинговый ток (12 А)
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер корпуса для эффективного размещения на печатной плате
  • Минусы:
    • Низкая мощность по сравнению с большими диодами
    • Меньше термостойкости, чем у некоторых других типов диодов
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Противодействие скачкам напряжения
    • Подключение к источнику питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфоны и другие мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления электропитанием
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики S12MCHV7G

Техническая документация

S12MCHV7G.pdf
pdf. 0 kb
  • 18 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    145 ₽
  • 10
    90 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена S12MCHV7G при покупке от 1 шт 145.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S12MCHV7G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S12MCHV7G

S12MCHV7G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение (VBR): 1 кВ
    • Рейтингный ток (ISM): 12 А
    • Тип корпуса: DO214AB
  • Плюсы:
    • Высокое максимальное напряжение (1 кВ)
    • Высокий рейтинговый ток (12 А)
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер корпуса для эффективного размещения на печатной плате
  • Минусы:
    • Низкая мощность по сравнению с большими диодами
    • Меньше термостойкости, чем у некоторых других типов диодов
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Противодействие скачкам напряжения
    • Подключение к источнику питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфоны и другие мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления электропитанием
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики S12MCHV7G

Техническая документация

S12MCHV7G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории