Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
S1FLK-GS08
  • В избранное
  • В сравнение
S1FLK-GS08

S1FLK-GS08

S1FLK-GS08
;
S1FLK-GS08

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    S1FLK-GS08
  • Описание:
    DIODE GP 800V 700MA DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена S1FLK-GS08 при покупке от 1 шт 89.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S1FLK-GS08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S1FLK-GS08

S1FLK-GS08 Vishay Semiconductors DIODE GP 800V 700MA DO219AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Ток прямого тока: 700mA
    • Форм-фактор: DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряженно-токаное сопротивление
    • Долговечность и надежность
    • Устойчивость к переносу напряжений
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами других производителей
    • Необходимость соблюдения специальных условий при монтаже
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Компенсация потерь в цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и преобразование энергии
    • Системы управления двигателем
    • Сетевые устройства
    • Электронные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики S1FLK-GS08

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    700mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    1.8 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Емкость @ Vr, F
    4pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    S1F

Техническая документация

 S1FLK-GS08.pdf
pdf. 0 kb
  • 4255 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    89 ₽
  • 100
    40 ₽
  • 1000
    23 ₽
  • 5000
    18 ₽
  • 30000
    13.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    S1FLK-GS08
  • Описание:
    DIODE GP 800V 700MA DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена S1FLK-GS08 при покупке от 1 шт 89.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S1FLK-GS08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S1FLK-GS08

S1FLK-GS08 Vishay Semiconductors DIODE GP 800V 700MA DO219AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Ток прямого тока: 700mA
    • Форм-фактор: DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряженно-токаное сопротивление
    • Долговечность и надежность
    • Устойчивость к переносу напряжений
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами других производителей
    • Необходимость соблюдения специальных условий при монтаже
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Компенсация потерь в цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и преобразование энергии
    • Системы управления двигателем
    • Сетевые устройства
    • Электронные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики S1FLK-GS08

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    700mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    1.8 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Емкость @ Vr, F
    4pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    S1F

Техническая документация

 S1FLK-GS08.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STPS20SM60DДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO220AC
    322Кешбэк 48 баллов
    STTH8R06GY-TRDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
    322Кешбэк 48 баллов
    STPS30M100STДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB
    322Кешбэк 48 баллов
    STTH506DDIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
    325Кешбэк 48 баллов
    STPS30170DJF-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 170V 30A POWRFLAT
    326Кешбэк 48 баллов
    STTH30S12WDIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247
    326Кешбэк 48 баллов
    STPS30120DJF-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 120V 30A POWRFLAT
    337Кешбэк 50 баллов
    STTH15R06DДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    337Кешбэк 50 баллов
    STPS30SM120SFPДиод: DIODE SCHOTTKY 120V TO220FPAB
    343Кешбэк 51 балл
    STTH15L06DДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    345Кешбэк 51 балл
    STPS20SM120STNDIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
    346Кешбэк 51 балл
    STTH8R06DIRGДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    346Кешбэк 51 балл
    STTH8R03DJF-TRDIODE GEN PURP 300V 8A POWERFLAT
    348Кешбэк 52 балла
    STTH15L06FPДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
    348Кешбэк 52 балла
    FERD20M60STДиод: DIODE RECT 60V 20A TO220AB
    352Кешбэк 52 балла
    STTH30L06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    354Кешбэк 53 балла
    STTH3006WДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A DO247
    354Кешбэк 53 балла
    STPS20SM120SFPDIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220FP
    356Кешбэк 53 балла
    STTH20R04DДиод: DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC
    358Кешбэк 53 балла
    STPS30M100SFPДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220FP
    358Кешбэк 53 балла
    STTH806DTIДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    358Кешбэк 53 балла
    STPS20L15G-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 15V 20A D2PAK
    361Кешбэк 54 балла
    STPS20M60SRDIODE SCHOTTKY 60V 20A I2PAK
    361Кешбэк 54 балла
    STPS1545G-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK
    363Кешбэк 54 балла
    FERD30M45CRDIODE ARRAY 45V 30A I2PAK
    371Кешбэк 55 баллов
    STTH3002G-TRДиод: DIODE GEN PURP 200V 30A D2PAK
    378Кешбэк 56 баллов
    STPSC4H065DДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
    387Кешбэк 58 баллов
    STTH6006WДиод: DIODE GEN PURP 600V 60A DO247
    393Кешбэк 58 баллов
    STPS20M120SRDIODE SCHOTTKY 120V 20A I2PAK
    393Кешбэк 58 баллов
    STTH1502DIДиод: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC
    404Кешбэк 60 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП