Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
S1JLH
  • В избранное
  • В сравнение
S1JLH

S1JLH

S1JLH
;
S1JLH

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    S1JLH
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMAВсе характеристики

Минимальная цена S1JLH при покупке от 1 шт 66.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S1JLH с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S1JLH

S1JLH Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 600В
    • Приемлемый ток: 1А
    • Тип: Общего назначения (GEN PURP)
    • Размер: SUB SMA (микрокоммутируемый разъем)
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания (600В)
    • Малый размер (SUB SMA)
    • Подходит для широкого спектра приложений
  • Минусы:
    • Общий тип применения может ограничивать специфические возможности
    • Меньший размер может усложнять установку и подключение
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Сигнальные диоды для микрокоммутируемых систем
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства и зарядные станции
    • Автомобильные системы питания
    • Измерительное оборудование
    • Радиоэлектронная аппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики S1JLH

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    1.8 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    Sub SMA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    S1J

Техническая документация

 S1JLH.pdf
pdf. 0 kb
  • 985 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    66 ₽
  • 100
    25.7 ₽
  • 1000
    15.3 ₽
  • 5000
    12.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    S1JLH
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMAВсе характеристики

Минимальная цена S1JLH при покупке от 1 шт 66.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S1JLH с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S1JLH

S1JLH Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 600В
    • Приемлемый ток: 1А
    • Тип: Общего назначения (GEN PURP)
    • Размер: SUB SMA (микрокоммутируемый разъем)
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания (600В)
    • Малый размер (SUB SMA)
    • Подходит для широкого спектра приложений
  • Минусы:
    • Общий тип применения может ограничивать специфические возможности
    • Меньший размер может усложнять установку и подключение
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Сигнальные диоды для микрокоммутируемых систем
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства и зарядные станции
    • Автомобильные системы питания
    • Измерительное оборудование
    • Радиоэлектронная аппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики S1JLH

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    1.8 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    Sub SMA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    S1J

Техническая документация

 S1JLH.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB055LAM-60TRDIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDTM
    74Кешбэк 11 баллов
    RBR1VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    121Кешбэк 18 баллов
    RR1LAM6STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    125Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-30TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    86Кешбэк 12 баллов
    RBR1VWM60ATRLOW VF, 60V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    116Кешбэк 17 баллов
    BAS116HYT116LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    59Кешбэк 8 баллов
    RB520VM-40FHTE-17Диод: RB520VM-40FH IS LOW V F
    40.5Кешбэк 6 баллов
    RFC02MM2STFTRДиод: RFC02MM2STF IS THE HIGH RELIABIL
    335Кешбэк 50 баллов
    RB501SM-30FHT2RДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODES
    31Кешбэк 4 балла
    RF305BM6SFHTLДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    210Кешбэк 31 балл
    RB058LAM150TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    118Кешбэк 17 баллов
    RB168VWM-30TFTRДиод: 30V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOW
    114Кешбэк 17 баллов
    RSX071VAM30TRSUPER FAST RECOVERY DIODE
    53Кешбэк 7 баллов
    RB050LAM-40TFTRДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    147Кешбэк 22 балла
    RB068VWM100TFTR100V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    116Кешбэк 17 баллов
    RSX201LAM30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD128
    79Кешбэк 11 баллов
    RR2LAM4STFTRDIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
    118Кешбэк 17 баллов
    RFN10BM3SFHTLДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE
    267Кешбэк 40 баллов
    RB168LAM150TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    114Кешбэк 17 баллов
    BAS21VMFHTE-17Диод: BAS21VMFH IS THE HIGH RELIABILIT
    37Кешбэк 5 баллов
    RFN5BM3SFHTLSUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    285Кешбэк 42 балла
    RF301BM2SFHTLSUPER FAST RECOVERY DIODES
    167Кешбэк 25 баллов
    RR2LAM4STRDIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
    61Кешбэк 9 баллов
    RB162MM-40TFTRДиод: RB162MM-40TF IS THE HIGH RELIABI
    70Кешбэк 10 баллов
    RB400VYM-50FHTRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
    81Кешбэк 12 баллов
    RB400VAM-50TRДиод: DIODE SCHOTTKY 50V 500MA TUMD2M
    94Кешбэк 14 баллов
    RBR1VWM60ATFTRLOW VF, 60V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    123Кешбэк 18 баллов
    RFN1LAM7STFTRДиод: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (
    112Кешбэк 16 баллов
    RR1VWM6STRRR1VWM6S IS RECTIFYING DIODE FOR
    70Кешбэк 10 баллов
    RB168VWM-60TR60V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOW
    99Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП