Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
S3MHE3_A/I

S3MHE3_A/I

S3MHE3_A/I
;
S3MHE3_A/I

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена S3MHE3_A/I при покупке от 1 шт 107.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S3MHE3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S3MHE3_A/I

Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1 кВ
    • Номинальный ток: 3 А
    • Пакет: DO214AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
    • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от скачков напряжения
    • Распределение нагрузки между несколькими элементами
    • Сброс избыточного энергетического заряда
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства потребления
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики S3MHE3_A/I

Техническая документация

S3MHE3_A/I.pdf
pdf. 0 kb
  • 8286 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    107 ₽
  • 100
    55 ₽
  • 1000
    38.5 ₽
  • 7000
    30 ₽
  • 24500
    24.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена S3MHE3_A/I при покупке от 1 шт 107.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S3MHE3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S3MHE3_A/I

Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1 кВ
    • Номинальный ток: 3 А
    • Пакет: DO214AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
    • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от скачков напряжения
    • Распределение нагрузки между несколькими элементами
    • Сброс избыточного энергетического заряда
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства потребления
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики S3MHE3_A/I

Техническая документация

S3MHE3_A/I.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории