Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
S5JB R5G
  • В избранное
  • В сравнение
S5JB R5G

S5JB R5G

S5JB R5G
;
S5JB R5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    S5JB R5G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AAВсе характеристики

Минимальная цена S5JB R5G при покупке от 1 шт 136.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S5JB R5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S5JB R5G

S5JB R5G — это диод для универсальных приложений, выпущенный компанией Taiwan Semiconductor Corporation (TSMC). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 600В
  • Номинальный ток: 5А
  • Форм-фактор: DO214AA

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкий вес
  • Простота монтажа

Минусы:

  • Средняя скорость восстановления
  • Не рекомендуется для высокочастотных применений

Общее назначение: Диод S5JB R5G предназначен для широкого спектра приложений, где требуется защита от обратного тока или подавление помех. Он может использоваться в:

  • Электронных системах питания
  • Инверторах и преобразователях
  • Автомобильных системах
  • Релейных приборах
  • Трансформаторах и других электрических устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики S5JB R5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AA, SMB
  • Исполнение корпуса
    DO-214AA (SMB)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    S5J

Техническая документация

 S5JB R5G.pdf
pdf. 0 kb
  • 262 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    136 ₽
  • 100
    62 ₽
  • 1000
    36 ₽
  • 6800
    30 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    S5JB R5G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AAВсе характеристики

Минимальная цена S5JB R5G при покупке от 1 шт 136.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить S5JB R5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание S5JB R5G

S5JB R5G — это диод для универсальных приложений, выпущенный компанией Taiwan Semiconductor Corporation (TSMC). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 600В
  • Номинальный ток: 5А
  • Форм-фактор: DO214AA

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкий вес
  • Простота монтажа

Минусы:

  • Средняя скорость восстановления
  • Не рекомендуется для высокочастотных применений

Общее назначение: Диод S5JB R5G предназначен для широкого спектра приложений, где требуется защита от обратного тока или подавление помех. Он может использоваться в:

  • Электронных системах питания
  • Инверторах и преобразователях
  • Автомобильных системах
  • Релейных приборах
  • Трансформаторах и других электрических устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики S5JB R5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AA, SMB
  • Исполнение корпуса
    DO-214AA (SMB)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    S5J

Техническая документация

 S5JB R5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    38DN06B02ELEMXPSA1POWER DIODE BG-D_ELEM-1
    33 188Кешбэк 4 978 баллов
    ND89N12KHPSA1DIODE GP 1.2KV 89A BG-PB20-1
    19 742Кешбэк 2 961 балл
    IDW16G65C5XKSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
    1 039Кешбэк 155 баллов
    D970N06TXPSA1DIODE GEN PURP 600V 970A
    14 215Кешбэк 2 132 балла
    ND89N16KHPSA1DIODE GP 1.6KV 89A BG-PB20-1
    20 509Кешбэк 3 076 баллов
    DZ600N12KHPSA1DIODE GEN PURP 1.2KV 735A MODULE
    36 081Кешбэк 5 412 баллов
    56DN06B02ELEMXPSA1STD THYR/DIODEN DISC
    53 999Кешбэк 8 099 баллов
    D1800N48TVFXPSA1DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A
    83 493Кешбэк 12 523 балла
    DZ1070N18KHPSA3DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
    82 448Кешбэк 12 367 баллов
    DZ950N44KHPSA1DIODE GEN PURP 4.4KV 950A MODULE
    140 801Кешбэк 21 120 баллов
    DZ435N40KHPSA1DIODE GEN PURP 4KV 700A MODULE
    51 685Кешбэк 7 752 балла
    D1131SH65TXPSA1DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A
    262 370Кешбэк 39 355 баллов
    D1230N18TXPSA1DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A
    22 234Кешбэк 3 335 баллов
    D2700U45X122XOSA1HIGH POWER THYR / DIO
    343 880Кешбэк 51 582 балла
    D1331SH45TXPSA1DIODE GEN PURP 4.5KV 1710A
    292 927Кешбэк 43 939 баллов
    IDFW80C65D1XKSA1IDFW80C65D1XKSA1
    910Кешбэк 136 баллов
    DZ1070N22KHPSA3DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A MOD
    86 626Кешбэк 12 993 балла
    IDK05G120C5XTMA1Диод: SIC DISCRETE
    644Кешбэк 96 баллов
    MUR1610CTRDIODE SWITCHING 100V 16A
    143Кешбэк 21 балл
    1N349335 AMP RECTIFIER D0-21
    1 595Кешбэк 239 баллов
    MR504STANDARD RECOVERY 3 AMP RECTIFIE
    239Кешбэк 35 баллов
    MUR3010PTRECTIFIER DIODE
    1 416Кешбэк 212 баллов
    MR1120DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    3 862Кешбэк 579 баллов
    1N1206BDO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 153Кешбэк 172 балла
    1N47193 AMP RECTIFIER METAL
    9 864Кешбэк 1 479 баллов
    1N1196R20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    2 207Кешбэк 331 балл
    SK220DIODE SCHOTTKY 200V 2A SMB
    179 475Кешбэк 26 921 балл
    RB751S40-ONRECTIFIER, SCHOTTKY, 0.03A, 40V
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSR0140P2T5HSCHOTTKY DIODE SOD923
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSR0130P2T5HSCHOTTKY DIODE SOD923
    27.6Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП