Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
SB007-03C-TB-E
  • В избранное
  • В сравнение
SB007-03C-TB-E

SB007-03C-TB-E

SB007-03C-TB-E
;
SB007-03C-TB-E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SB007-03C-TB-E
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3CPВсе характеристики

Минимальная цена SB007-03C-TB-E при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SB007-03C-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SB007-03C-TB-E

SB007-03C-TB-E onsemi DIODE SCHOTTKY

  • Напряжение срабатывания: 30В
  • Ток прямого тока: 70mA
  • Количество контактов: 3CP (три контактные)

Основные плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Малое напряжение срабатывания
  • Низкое сопротивление в проводящем режиме

Основные минусы:

  • Высокие потери при обратном токе
  • Небольшой ток прямого тока

Общее назначение:

  • Использование в электронных схемах для защиты от обратного тока
  • Применяются в источниках питания, преобразователях напряжения
  • Участвуют в системах управления мощностью

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Автомобильная электроника
  • Мощные электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики SB007-03C-TB-E

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    30 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    70mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    550 mV @ 70 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    10 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 15 V
  • Емкость @ Vr, F
    3pF @ 10V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 125°C
  • Base Product Number
    SB00

Техническая документация

 SB007-03C-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
  • 7753 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    50 ₽
  • 100
    28 ₽
  • 1000
    18.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SB007-03C-TB-E
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3CPВсе характеристики

Минимальная цена SB007-03C-TB-E при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SB007-03C-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SB007-03C-TB-E

SB007-03C-TB-E onsemi DIODE SCHOTTKY

  • Напряжение срабатывания: 30В
  • Ток прямого тока: 70mA
  • Количество контактов: 3CP (три контактные)

Основные плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Малое напряжение срабатывания
  • Низкое сопротивление в проводящем режиме

Основные минусы:

  • Высокие потери при обратном токе
  • Небольшой ток прямого тока

Общее назначение:

  • Использование в электронных схемах для защиты от обратного тока
  • Применяются в источниках питания, преобразователях напряжения
  • Участвуют в системах управления мощностью

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Автомобильная электроника
  • Мощные электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики SB007-03C-TB-E

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    30 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    70mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    550 mV @ 70 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    10 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 15 V
  • Емкость @ Vr, F
    3pF @ 10V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 125°C
  • Base Product Number
    SB00

Техническая документация

 SB007-03C-TB-E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UPS340E3/TR13DIODE SCHOTTKY 40V 3A POWERMITE3
    116Кешбэк 17 баллов
    APT40DQ60BGДиод: DIODE GEN PURP 600V 40A TO247
    325Кешбэк 48 баллов
    UPS1040E3/TR13DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERMITE
    164Кешбэк 24 балла
    1N5616DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
    577Кешбэк 86 баллов
    JANTXV1N4148UR-1Диод: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
    525Кешбэк 78 баллов
    MBR40100PTE3/TUТранзистор: DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-247AD
    222Кешбэк 33 балла
    1N5615Диод: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
    825Кешбэк 123 балла
    1N4150UR-1Диод: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
    211Кешбэк 31 балл
    1N5620Диод: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
    797Кешбэк 119 баллов
    JAN1N4148UR-1Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO213
    209Кешбэк 31 балл
    1N5554RECT 3AMP 1K V G4
    1 589Кешбэк 238 баллов
    1N649-1Диод: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
    433Кешбэк 64 балла
    1N647-1DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
    299Кешбэк 44 балла
    APT40DQ100BGДиод: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
    431Кешбэк 64 балла
    1N6626USDIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF
    2 065Кешбэк 309 баллов
    APT15D100KGДиод: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220
    418Кешбэк 62 балла
    JAN1N4454-1DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
    151Кешбэк 22 балла
    LSM345J/TR13DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AB
    340Кешбэк 51 балл
    1N5617USDIODE GEN PURP 400V 1A D5A
    1 077Кешбэк 161 балл
    1N5551Диод: RECT 3AMP 400V G4
    1 053Кешбэк 157 баллов
    1N6642USDIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
    1 182Кешбэк 177 баллов
    1N5187DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
    1 412Кешбэк 211 баллов
    1N5804Диод: RECT 2.5 AMP 100V DO204AP
    995Кешбэк 149 баллов
    JAN1N914DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
    125Кешбэк 18 баллов
    1N4245DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
    626Кешбэк 93 балла
    APT30D120BGДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
    484Кешбэк 72 балла
    JAN1N6623USDIODE GEN PURP 880V 1A D5A
    2 116Кешбэк 317 баллов
    APT30DQ60BGДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
    243Кешбэк 36 баллов
    APT15DQ100KGДиод: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220
    142Кешбэк 21 балл
    APT30DQ100KGДиод: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220
    190Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП