Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
SBAS16HT1G
  • В избранное
  • В сравнение
SBAS16HT1G

SBAS16HT1G

SBAS16HT1G
;
SBAS16HT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    SBAS16HT1G
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323Все характеристики

Минимальная цена SBAS16HT1G при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SBAS16HT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SBAS16HT1G

SBAS16HT1G onsemi Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 200mA
    • Пакет: SOD323
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокоточных приложений из-за небольшого диапазона рабочих токов
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Приведение уровней напряжений
    • Контроль тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфоны и другие мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Игровые приставки и компьютеры
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SBAS16HT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 150 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    6 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 75 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    SBAS16

Техническая документация

 SBAS16HT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 200 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.5 ₽
  • 10
    13.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    SBAS16HT1G
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323Все характеристики

Минимальная цена SBAS16HT1G при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SBAS16HT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SBAS16HT1G

SBAS16HT1G onsemi Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 200mA
    • Пакет: SOD323
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокоточных приложений из-за небольшого диапазона рабочих токов
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Приведение уровней напряжений
    • Контроль тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Смартфоны и другие мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Игровые приставки и компьютеры
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SBAS16HT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 150 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    6 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 75 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    SBAS16

Техническая документация

 SBAS16HT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS3P6-M3/85AДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
    59Кешбэк 8 баллов
    SS3P3LHM3_A/HДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 3A TO277A
    163Кешбэк 24 балла
    SS2P4HM3/84AДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO220AA
    89Кешбэк 13 баллов
    ESH3D-E3/57TДиод: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
    170Кешбэк 25 баллов
    SS12P3L-M3/86ADIODE SCHOTTKY 30V 12A TO277A
    180Кешбэк 27 баллов
    MBRF10H100-E3/45DIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AC
    256Кешбэк 38 баллов
    FES16AT-E3/45DIODE GEN PURP 50V 16A TO220AC
    285Кешбэк 42 балла
    FES8HT-E3/45DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
    356Кешбэк 53 балла
    BYWF29-200-E3/45DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
    341Кешбэк 51 балл
    RS2BHE3_A/IDIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
    130Кешбэк 19 баллов
    S4PMHM3_A/HDIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
    150Кешбэк 22 балла
    SS3P5L-M3/87AДиод: DIODE SCHOTTKY 50V 3A TO277A
    189Кешбэк 28 баллов
    1N5407GP-E3/73DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
    448Кешбэк 67 баллов
    RGP25M-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 2.5A DO201
    244Кешбэк 36 баллов
    GI751-E3/73DIODE GEN PURP 100V 6A P600
    256Кешбэк 38 баллов
    SS8P2L-M3/86ADIODE SCHOTTKY 20V 8A TO277A
    137Кешбэк 20 баллов
    BYS12-90-M3/TRДиод: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
    29.6Кешбэк 4 балла
    VF20100SG-E3/4WДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 20A ITO220AB
    348Кешбэк 52 балла
    AR3PJ-M3/86ADIODE AVALANCHE 600V 1.8A TO277A
    219Кешбэк 32 балла
    V8P12HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 120V 8A TO277A
    137Кешбэк 20 баллов
    V30100S-M3/4WDIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB
    332Кешбэк 49 баллов
    VB30120SG-E3/8WDIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB
    465Кешбэк 69 баллов
    AR4PJ-M3/86ADIODE AVALANCHE 600V 2A TO277A
    250Кешбэк 37 баллов
    SS3P4LHM3_A/HДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A TO277A
    172Кешбэк 25 баллов
    ES1PB-M3/84ADIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
    117Кешбэк 17 баллов
    SB530-E3/73DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD
    222Кешбэк 33 балла
    VT5200-E3/4WDIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-220AC
    237Кешбэк 35 баллов
    V10P8-M3/86ADIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A
    157Кешбэк 23 балла
    FESF8GT-E3/45DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
    395Кешбэк 59 баллов
    SGL41-50-E3/96Диод: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB
    207Кешбэк 31 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП