SBRV660VCTT4G

Разрешенные параметры:

• Маркировка: SBRV660VCTT4G

• Производитель: ON Semiconductor

• Описание: Диодный массив Шоттки 60В 3А DPAK

Основные параметры:

• Номинальное напряжение: 60В

• Номинальный ток: 3А

• Тип: Диодный массив Шоттки (Schottky diode array)

• Форм-фактор: DPAK (Dual Pad Axial Package)

Плюсы:

• Низкое напряжение срабатывания (менее 0,5В)

• Высокая скорость перехода

• Малый тепловыделение при работе

• Устойчивость к обратному напряжению

Минусы:

• Невозможность использования при высоких частотах из-за эффекта затухания

• Высокие потери при больших токах

Общее назначение:

• Использование в электронных устройствах для защиты от обратного напряжения

• Обеспечение быстрого отключения и включения в схемах

• Применение в источниках питания для управления токами зарядки и разрядки

В каких устройствах применяется:

• Источники питания

• Мобильные устройства

• Автомобильные системы

• Системы управления двигателей

• Промышленные системы