Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
SCT2160KEGC11
  • В избранное
  • В сравнение
SCT2160KEGC11

SCT2160KEGC11

SCT2160KEGC11
;
SCT2160KEGC11

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    SCT2160KEGC11
  • Описание:
    1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDEВсе характеристики

Минимальная цена SCT2160KEGC11 при покупке от 1 шт 2676.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2160KEGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT2160KEGC11

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 1200В
      • Номинальный ток: 22А
      • Тип материала: SILICON-CARBIDE (SiC)
      • Производитель: Rohm Semiconductor
      • Обозначение маркировки: SCT2160KEGC11
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Высокая термическая стабильность
      • Меньшее тепловое отставание
      • Высокая частота работы
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
      • Необходимость более сложного проектирования и производства
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных и высокочастотных приложениях
      • Подходит для трансформаторных блоков питания
      • Используется в инверторах и преобразователях энергии
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы питания
      • Солнечные батареи и системы хранения энергии
      • Устройства для промышленного применения
      • Электропоезда и электромобили
Выбрано: Показать

Характеристики SCT2160KEGC11

  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    208mOhm @ 7A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1200 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    165W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 SCT2160KEGC11.pdf
pdf. 0 kb
  • 152 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 676 ₽
  • 10
    2 177 ₽
  • 450
    2 176 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    SCT2160KEGC11
  • Описание:
    1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDEВсе характеристики

Минимальная цена SCT2160KEGC11 при покупке от 1 шт 2676.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2160KEGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT2160KEGC11

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 1200В
      • Номинальный ток: 22А
      • Тип материала: SILICON-CARBIDE (SiC)
      • Производитель: Rohm Semiconductor
      • Обозначение маркировки: SCT2160KEGC11
    • Плюсы:
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Высокая термическая стабильность
      • Меньшее тепловое отставание
      • Высокая частота работы
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
      • Необходимость более сложного проектирования и производства
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных и высокочастотных приложениях
      • Подходит для трансформаторных блоков питания
      • Используется в инверторах и преобразователях энергии
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы питания
      • Солнечные батареи и системы хранения энергии
      • Устройства для промышленного применения
      • Электропоезда и электромобили
Выбрано: Показать

Характеристики SCT2160KEGC11

  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    208mOhm @ 7A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1200 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    165W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 SCT2160KEGC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    R6520KNZ4C13MOSFET N-CH 650V 20A TO247
    1 589Кешбэк 238 баллов
    SCT3060ARC14SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
    4 035Кешбэк 605 баллов
    RQ6A045ZPTRMOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
    230Кешбэк 34 балла
    RHK005N03FRAT146MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
    112Кешбэк 16 баллов
    R6530KNZ4C13650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
    741Кешбэк 111 баллов
    R6024KNXMOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
    594Кешбэк 89 баллов
    R6030KNXMOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
    898Кешбэк 134 балла
    R6024KNZ4C13MOSFET N-CH 600V 24A TO247
    790Кешбэк 118 баллов
    RD3L08BGNTLMOSFET N-CH 60V 80A TO252
    611Кешбэк 91 балл
    RJU002N06FRAT106MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
    90Кешбэк 13 баллов
    RTR020N05HZGTLMOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
    138Кешбэк 20 баллов
    RS3L110ATTB1PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
    596Кешбэк 89 баллов
    SCT3030KLGC11SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
    11 267Кешбэк 1 690 баллов
    R6020KNXТранзистор: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
    706Кешбэк 105 баллов
    RJ1U330AAFRGTLMOSFET N-CH 250V 33A LPTS
    937Кешбэк 140 баллов
    SCT3105KLHRC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
    2 526Кешбэк 378 баллов
    SCT3022KLGC11SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
    9 706Кешбэк 1 455 баллов
    R6020JNZ4C13MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
    935Кешбэк 140 баллов
    SCT3105KLGC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
    3 593Кешбэк 538 баллов
    R6009KNXMOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
    478Кешбэк 71 балл
    SCT3060ALGC11SICFET N-CH 650V 39A TO247N
    2 866Кешбэк 429 баллов
    SCT2160KEGC111200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 676Кешбэк 401 балл
    SCT3080KRC14SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
    3 070Кешбэк 460 баллов
    RSQ015N06HZGTRMOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
    166Кешбэк 24 балла
    BSS84T116Транзистор: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3
    56Кешбэк 8 баллов
    R6030ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 30A TO247
    1 847Кешбэк 277 баллов
    SCT2080KEHRC11SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
    5 251Кешбэк 787 баллов
    RQ7G080ATTCRPCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER
    224Кешбэк 33 балла
    RQ6E050AJTCRMOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
    183Кешбэк 27 баллов
    RSJ250P10FRATLMOSFET P-CH 100V 25A LPTS
    420Кешбэк 63 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП