Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SCT2750NYTB

SCT2750NYTB

SCT2750NYTB
;
SCT2750NYTB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SCT2750NYTB при покупке от 800 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2750NYTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SCT2750NYTB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    975mOhm @ 1.7A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 630µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    275 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    57W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    SCT2750

Техническая документация

SCT2750NYTB.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 800 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SCT2750NYTB при покупке от 800 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2750NYTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SCT2750NYTB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    975mOhm @ 1.7A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 630µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    275 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    57W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    SCT2750

Техническая документация

SCT2750NYTB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 800 шт