Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB
;
SCT2H12NYTB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SCT2H12NYTB при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2H12NYTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor SICFET N-CH 1700V 4A TO268

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 1700В
    • Номинальный ток (ID(on)): 4А
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: TO268
  • Плюсы:
    • Высокая сопротивляемость к обратному напряжению
    • Высокая скорость переключения
    • Высокий коэффициент мощности
    • Короткий транзитный временной интервал
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой тепловой мощности
    • Сложность в подборе при работе в режиме заземления
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах и преобразователях
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в сетях переменного тока с высоким напряжением
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления
    • Промышленных системах преобразования энергии
    • Устройствах для управления электродвигателями
    • Системах управления нагрузками в сетях переменного тока
Выбрано: Показать

Характеристики SCT2H12NYTB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1.1A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 410µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    184 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    44W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    SCT2H12

Техническая документация

SCT2H12NYTB.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SCT2H12NYTB при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT2H12NYTB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor SICFET N-CH 1700V 4A TO268

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 1700В
    • Номинальный ток (ID(on)): 4А
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: TO268
  • Плюсы:
    • Высокая сопротивляемость к обратному напряжению
    • Высокая скорость переключения
    • Высокий коэффициент мощности
    • Короткий транзитный временной интервал
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой тепловой мощности
    • Сложность в подборе при работе в режиме заземления
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах и преобразователях
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в сетях переменного тока с высоким напряжением
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления
    • Промышленных системах преобразования энергии
    • Устройствах для управления электродвигателями
    • Системах управления нагрузками в сетях переменного тока
Выбрано: Показать

Характеристики SCT2H12NYTB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1.1A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 410µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    184 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    44W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-268
  • Корпус
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Base Product Number
    SCT2H12

Техническая документация

SCT2H12NYTB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории