Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SCT3017ALGC11
SCT3017ALGC11

SCT3017ALGC11

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    SCT3017ALGC11
  • Описание:
    650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTURВсе характеристики

Минимальная цена SCT3017ALGC11 при покупке от 1 шт 15279.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT3017ALGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SCT3017ALGC11

  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    118A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22.1mOhm @ 47A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 23.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    172 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2884 pF @ 500 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    427W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Корпус
    TO-247-3
Техническая документация
 SCT3017ALGC11.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 435 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    15 279 ₽
  • 30
    13 190 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    SCT3017ALGC11
  • Описание:
    650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTURВсе характеристики

Минимальная цена SCT3017ALGC11 при покупке от 1 шт 15279.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT3017ALGC11 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SCT3017ALGC11

  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    118A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22.1mOhm @ 47A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 23.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    172 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2884 pF @ 500 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    427W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247N
  • Корпус
    TO-247-3
Техническая документация
 SCT3017ALGC11.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFH60N65X2-4MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
    2 638Кешбэк 395 баллов
    TW083N65C,S1FG3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
    3 074Кешбэк 461 балл
    DMP3026SFDE-13MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
    137Кешбэк 20 баллов
    IPW65R041CFD7XKSA1650V FET COOLMOS TO247
    1 591Кешбэк 238 баллов
    SIHG11N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
    1 644Кешбэк 246 баллов
    IPB072N15N3GATMA1MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
    637Кешбэк 95 баллов
    DMP2045UQ-13MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
    93Кешбэк 13 баллов
    FBG10N30BCGAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
    46 949Кешбэк 7 042 балла
    SQD40061EL_GE3MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
    396Кешбэк 59 баллов
    SIHB105N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    597Кешбэк 89 баллов
    SFR2955TFP-CHANNEL POWER MOSFET
    60Кешбэк 9 баллов
    IPLK80R750P7ATMA1MOSFET 800V TDSON-8
    192Кешбэк 28 баллов
    IAUC100N04S6L014ATMA1IAUC100N04S6L014ATMA1
    328Кешбэк 49 баллов
    C3M0350120DSICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
    1 355Кешбэк 203 балла
    NTMFS015N10MCLT1GMOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
    265Кешбэк 39 баллов
    FDP6035LN-CHANNEL POWER MOSFET
    217Кешбэк 32 балла
    DMN62D0UWQ-7MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
    58Кешбэк 8 баллов
    BS270-D74ZMOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
    78Кешбэк 11 баллов
    IXFP12N65X2MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
    792Кешбэк 118 баллов
    DMN5L06KQ-7MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
    69Кешбэк 10 баллов
    G45P02D3P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
    28.6Кешбэк 4 балла
    NVR5124PLT1GТранзистор: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
    90Кешбэк 13 баллов
    HUF75631SK8N-CHANNEL POWER MOSFET
    254Кешбэк 38 баллов
    AOSP21313CMOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
    182Кешбэк 27 баллов
    R6020ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 20A TO247
    984Кешбэк 147 баллов
    TJ30S06M3L,LXHQMOSFET P-CH 60V 30A DPAK
    254Кешбэк 38 баллов
    SIHG17N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
    1 151Кешбэк 172 балла
    AOTF190A60CLMOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    586Кешбэк 87 баллов
    SI2338DS-T1-BE3N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    113Кешбэк 16 баллов
    2SK4100LS-T-MG5SWITCHING DEVICE
    306Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП