Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
SCT3030AW7TL
  • В избранное
  • В сравнение
SCT3030AW7TL

SCT3030AW7TL

SCT3030AW7TL
;
SCT3030AW7TL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    SCT3030AW7TL
  • Описание:
    SICFET N-CH 650V 70A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена SCT3030AW7TL при покупке от 1 шт 5555.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT3030AW7TL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT3030AW7TL

SCT3030AW7TL ROHM Semiconductor SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 70А
    • Тип: N-канальный SIC-FET
    • Монтажный тип: TO263-7
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Высокий коэффициент переноса
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Компактный размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимо соблюдать особые требования к термостазированию
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокоточных системах
    • Применение в промышленной автоматике и промышленном оборудовании
    • Интеграция в системы управления двигателей
    • Работа в энергоэффективных преобразователях питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосистемы
    • Преобразователи питания
    • Драйверы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SCT3030AW7TL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39mOhm @ 27A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 13.3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    104 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1526 pF @ 500 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    267W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    SCT3030

Техническая документация

 SCT3030AW7TL.pdf
pdf. 0 kb
  • 978 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 555 ₽
  • 10
    5 477 ₽
  • 100
    5 176 ₽
  • 500
    5 022 ₽
  • 1000
    4 821 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    SCT3030AW7TL
  • Описание:
    SICFET N-CH 650V 70A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена SCT3030AW7TL при покупке от 1 шт 5555.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT3030AW7TL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT3030AW7TL

SCT3030AW7TL ROHM Semiconductor SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 70А
    • Тип: N-канальный SIC-FET
    • Монтажный тип: TO263-7
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Высокий коэффициент переноса
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Компактный размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимо соблюдать особые требования к термостазированию
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокоточных системах
    • Применение в промышленной автоматике и промышленном оборудовании
    • Интеграция в системы управления двигателей
    • Работа в энергоэффективных преобразователях питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Энергосистемы
    • Преобразователи питания
    • Драйверы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики SCT3030AW7TL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39mOhm @ 27A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 13.3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    104 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1526 pF @ 500 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    267W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    SCT3030

Техническая документация

 SCT3030AW7TL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSS123IXTSA1Транзистор: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    BSZ065N03LSATMA1MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
    197Кешбэк 29 баллов
    IAUC41N06S5N102ATMA1MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
    221Кешбэк 33 балла
    IPW60R280C6FKSA1MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
    312Кешбэк 46 баллов
    IPD60R180P7SAUMA1MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
    346Кешбэк 51 балл
    IPU60R3K4CEAKMA1CONSUMER
    35Кешбэк 5 баллов
    BSC054N04NSGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
    231Кешбэк 34 балла
    BSZ099N06LS5ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
    255Кешбэк 38 баллов
    IPD30N03S4L14ATMA1MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
    203Кешбэк 30 баллов
    BTS132E3045ANTMA1N-CHANNEL POWER MOSFET
    898Кешбэк 134 балла
    BSC600N25NS3GATMA1MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
    759Кешбэк 113 баллов
    IAUC80N04S6N036ATMA1IAUC80N04S6N036ATMA1
    240Кешбэк 36 баллов
    IAUT300N08S5N012ATMA2MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
    952Кешбэк 142 балла
    ISZ065N03L5SATMA1MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
    178Кешбэк 26 баллов
    BSC011N03LSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
    385Кешбэк 57 баллов
    ISC012N04NM6ATMA1TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
    448Кешбэк 67 баллов
    IPD60R210PFD7SAUMA1MOSFET N-CH 650V 16A TO252-3
    424Кешбэк 63 балла
    IPI80N06S405AKSA2MOSFET N-CHANNEL_55/60V
    245Кешбэк 36 баллов
    IPP114N03LGHKSA1N-CHANNEL POWER MOSFET
    73Кешбэк 10 баллов
    IPT020N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
    849Кешбэк 127 баллов
    IPD70N03S4L04ATMA1MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
    132Кешбэк 19 баллов
    IAUC24N10S5L300ATMA1MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
    247Кешбэк 37 баллов
    BSZ021N04LS6ATMA1MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
    249Кешбэк 37 баллов
    IPN70R2K0P7SATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
    27.3Кешбэк 4 балла
    ISC027N10NM6ATMA1TRENCH >=100V PG-TDSON-8
    822Кешбэк 123 балла
    IPP60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    413Кешбэк 61 балл
    BSC014N04LSATMA1MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
    347Кешбэк 52 балла
    IPB020N10N5LFATMA1MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
    1 145Кешбэк 171 балл
    ISC011N06LM5ATMA1TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
    879Кешбэк 131 балл
    IPS60R210PFD7SAKMA1MOSFET N-CH 650V 16A TO251-3
    190Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП