Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SCT50N120

SCT50N120

SCT50N120
;
SCT50N120

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SCT50N120 при покупке от 1 шт 5082.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT50N120 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT50N120

SCT50N120 STMicroelectronics SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

  • Основные параметры:
    • Тип: SICFET (Silicon Carbide FET)
    • Напряжение РД: 1200В
    • Максимальный ток: 65А
    • Код: HIP247
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения (низкое время транзитного состояния)
    • Высокий коэффициент мощности при работе на высоких частотах
    • Низкое сопротивление при проводимости
    • Устойчивость к перегреву и износу
    • Низкий уровень шума и помех
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET и IGBT
    • Требуется специальное оборудование для монтажа и тестирования
    • Необходимо соблюдать особые требования к проектированию и термодизайну
  • Общее назначение:
    • Применяются в системах управления электрической энергией
    • Используются в промышленных и бытовых преобразователях напряжения
    • Входят в состав инверторов для электромобилей и гибридных автомобилей
    • Применяются в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Инверторы для управления двигателем
    • Преобразователи напряжения для солнечных батарей
    • Электроосушители и компрессоры
    • Системы питания для мобильных устройств
    • Преобразователи напряжения для транспортных средств
Выбрано: Показать

Характеристики SCT50N120

Техническая документация

SCT50N120.pdf
pdf. 0 kb
  • 295 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 082 ₽
  • 30
    3 283 ₽
  • 120
    3 126 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SCT50N120 при покупке от 1 шт 5082.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SCT50N120 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SCT50N120

SCT50N120 STMicroelectronics SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

  • Основные параметры:
    • Тип: SICFET (Silicon Carbide FET)
    • Напряжение РД: 1200В
    • Максимальный ток: 65А
    • Код: HIP247
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения (низкое время транзитного состояния)
    • Высокий коэффициент мощности при работе на высоких частотах
    • Низкое сопротивление при проводимости
    • Устойчивость к перегреву и износу
    • Низкий уровень шума и помех
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET и IGBT
    • Требуется специальное оборудование для монтажа и тестирования
    • Необходимо соблюдать особые требования к проектированию и термодизайну
  • Общее назначение:
    • Применяются в системах управления электрической энергией
    • Используются в промышленных и бытовых преобразователях напряжения
    • Входят в состав инверторов для электромобилей и гибридных автомобилей
    • Применяются в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Инверторы для управления двигателем
    • Преобразователи напряжения для солнечных батарей
    • Электроосушители и компрессоры
    • Системы питания для мобильных устройств
    • Преобразователи напряжения для транспортных средств
Выбрано: Показать

Характеристики SCT50N120

Техническая документация

SCT50N120.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории