Эиком
Авторизируйтесь, чтобы снизить цену
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
SF1200-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
SF1200-TAP

SF1200-TAP

SF1200-TAP
;
SF1200-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SF1200-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SOD57Все характеристики

Минимальная цена SF1200-TAP при покупке от 1 шт 122.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SF1200-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SF1200-TAP

DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SOD57 от SF1200-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Основные параметры:
    • Тип: Общего назначения
    • Максимальное напряжение: 1.2 кВ
    • Ток прямого тока: 1 А
    • Форм-фактор: SOD57
  • Плюсы:
    • Высокое максимальное напряжение
    • Высокий ток прямого тока
    • Компактный размер (форм-фактор SOD57)
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Общий назначенный диод, что может ограничивать его применение по сравнению с специализированными моделями
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Обратная связь в управляющих цепях
    • Переключение низковольтных сигналов
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобильной электронике
    • Электронных системах бытовой техники
    • Устройствах питания
Выбрано: Показать

Характеристики SF1200-TAP

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    3.4 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1200 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    SOD-57, Axial
  • Исполнение корпуса
    SOD-57
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Base Product Number
    SF1200

Техническая документация

 SF1200-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 3887 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    122 ₽
  • 100
    57 ₽
  • 500
    45 ₽
  • 2000
    39 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SF1200-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SOD57Все характеристики

Минимальная цена SF1200-TAP при покупке от 1 шт 122.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SF1200-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SF1200-TAP

DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SOD57 от SF1200-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Основные параметры:
    • Тип: Общего назначения
    • Максимальное напряжение: 1.2 кВ
    • Ток прямого тока: 1 А
    • Форм-фактор: SOD57
  • Плюсы:
    • Высокое максимальное напряжение
    • Высокий ток прямого тока
    • Компактный размер (форм-фактор SOD57)
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Общий назначенный диод, что может ограничивать его применение по сравнению с специализированными моделями
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Обратная связь в управляющих цепях
    • Переключение низковольтных сигналов
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобильной электронике
    • Электронных системах бытовой техники
    • Устройствах питания
Выбрано: Показать

Характеристики SF1200-TAP

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    3.4 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1200 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    SOD-57, Axial
  • Исполнение корпуса
    SOD-57
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Base Product Number
    SF1200

Техническая документация

 SF1200-TAP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGF1J-E3/67AДиод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
    69Кешбэк 10 баллов
    BAV101-GS08Диод: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
    28.7Кешбэк 4 балла
    VS-18TQ045S-M3DIODE SCHOTTKY 45V 18A D2PAK
    388Кешбэк 58 баллов
    ES07D-GS08Диод: DIODE GEN PURP 200V 1.2A DO219AB
    26.3Кешбэк 3 балла
    SB160-E3/54Диод: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL
    30Кешбэк 4 балла
    BYM10-1000-E3/97Диод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
    75Кешбэк 11 баллов
    MSE1PG-M3/89AДиод: DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP
    18.2Кешбэк 2 балла
    S3M-E3/57TДиод: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
    85Кешбэк 12 баллов
    BAV300-TRДиод: DIODE GP 50V 250MA MICROMELF
    11.2Кешбэк 1 балл
    1N5408-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    117Кешбэк 17 баллов
    GP10Y-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO204AL
    70Кешбэк 10 баллов
    SS14-E3/5ATДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
    40Кешбэк 6 баллов
    1N4007-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    38.5Кешбэк 5 баллов
    SB140-E3/73Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
    59Кешбэк 8 баллов
    BAS83-GS08Диод: DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80
    59Кешбэк 8 баллов
    LL43-GS08Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINMELF
    88Кешбэк 13 баллов
    BY203-20STAPДиод: DIODE AVALANCH 2KV 250MA SOD57
    120Кешбэк 18 баллов
    BY228TAPДиод: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
    187Кешбэк 28 баллов
    ES2F-E3/52TДиод: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
    43Кешбэк 6 баллов
    VB10150S-E3/4WDIODE SCHOTTKY 150V 10A TO263AB
    111Кешбэк 16 баллов
    SS2H10-E3/52TДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA
    67Кешбэк 10 баллов
    LS4150GS08Диод: DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
    18.3Кешбэк 2 балла
    SD101AW-E3-08Диод: DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123
    37.4Кешбэк 5 баллов
    BY269TAPДиод: DIODE AVALANCHE 1.6KV 2A SOD57
    159Кешбэк 23 балла
    SF1200-TAPДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SOD57
    122Кешбэк 18 баллов
    1N5626-TAPДиод: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
    182Кешбэк 27 баллов
    RGP02-16E-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
    132Кешбэк 19 баллов
    SS24S-E3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
    46Кешбэк 6 баллов
    VS-12F20DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
    857Кешбэк 128 баллов
    BYG10Y-E3/TRДиод: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A
    53Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП