Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
SFA808G
  • В избранное
  • В сравнение
SFA808G

SFA808G

SFA808G
;
SFA808G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    SFA808G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACВсе характеристики

Минимальная цена SFA808G при покупке от 1 шт 160.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SFA808G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SFA808G

SFA808G — это диод, произведенный компанией Taiwan Semiconductor. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VBR): 600В
  • Номинальный ток прямого тока (ISM): 8А
  • Форм-фактор: TO220AC

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактный размер

Минусы:

  • Теплопроводность может быть ниже у более современных диодов
  • Необходимо соблюдать требования к охлаждению при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Защита электронных схем от обратного напряжения
  • Приведение напряжений к номинальному уровню
  • Распределение напряжений между различными элементами схемы

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Измерительная техника
  • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики SFA808G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    SFA808

Техническая документация

 SFA808G.pdf
pdf. 0 kb
  • 780 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    160 ₽
  • 100
    106 ₽
  • 1000
    70 ₽
  • 5000
    63 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    SFA808G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACВсе характеристики

Минимальная цена SFA808G при покупке от 1 шт 160.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SFA808G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SFA808G

SFA808G — это диод, произведенный компанией Taiwan Semiconductor. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение (VBR): 600В
  • Номинальный ток прямого тока (ISM): 8А
  • Форм-фактор: TO220AC

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Компактный размер

Минусы:

  • Теплопроводность может быть ниже у более современных диодов
  • Необходимо соблюдать требования к охлаждению при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Защита электронных схем от обратного напряжения
  • Приведение напряжений к номинальному уровню
  • Распределение напряжений между различными элементами схемы

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Измерительная техника
  • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики SFA808G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    SFA808

Техническая документация

 SFA808G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    38DN06B02ELEMXPSA1POWER DIODE BG-D_ELEM-1
    33 188Кешбэк 4 978 баллов
    ND89N12KHPSA1DIODE GP 1.2KV 89A BG-PB20-1
    19 742Кешбэк 2 961 балл
    IDW16G65C5XKSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
    1 039Кешбэк 155 баллов
    D970N06TXPSA1DIODE GEN PURP 600V 970A
    14 215Кешбэк 2 132 балла
    ND89N16KHPSA1DIODE GP 1.6KV 89A BG-PB20-1
    20 509Кешбэк 3 076 баллов
    DZ600N12KHPSA1DIODE GEN PURP 1.2KV 735A MODULE
    36 081Кешбэк 5 412 баллов
    56DN06B02ELEMXPSA1STD THYR/DIODEN DISC
    53 999Кешбэк 8 099 баллов
    D1800N48TVFXPSA1DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A
    83 493Кешбэк 12 523 балла
    DZ1070N18KHPSA3DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
    82 448Кешбэк 12 367 баллов
    DZ950N44KHPSA1DIODE GEN PURP 4.4KV 950A MODULE
    140 801Кешбэк 21 120 баллов
    DZ435N40KHPSA1DIODE GEN PURP 4KV 700A MODULE
    51 685Кешбэк 7 752 балла
    D1131SH65TXPSA1DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A
    262 370Кешбэк 39 355 баллов
    D1230N18TXPSA1DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A
    22 234Кешбэк 3 335 баллов
    D2700U45X122XOSA1HIGH POWER THYR / DIO
    343 880Кешбэк 51 582 балла
    D1331SH45TXPSA1DIODE GEN PURP 4.5KV 1710A
    292 927Кешбэк 43 939 баллов
    IDFW80C65D1XKSA1IDFW80C65D1XKSA1
    910Кешбэк 136 баллов
    DZ1070N22KHPSA3DIODE GEN PURP 2.2KV 1100A MOD
    86 626Кешбэк 12 993 балла
    IDK05G120C5XTMA1Диод: SIC DISCRETE
    644Кешбэк 96 баллов
    MUR1610CTRDIODE SWITCHING 100V 16A
    143Кешбэк 21 балл
    1N349335 AMP RECTIFIER D0-21
    1 595Кешбэк 239 баллов
    MR504STANDARD RECOVERY 3 AMP RECTIFIE
    239Кешбэк 35 баллов
    MUR3010PTRECTIFIER DIODE
    1 416Кешбэк 212 баллов
    MR1120DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    3 862Кешбэк 579 баллов
    1N1206BDO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 153Кешбэк 172 балла
    1N47193 AMP RECTIFIER METAL
    9 864Кешбэк 1 479 баллов
    1N1196R20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    2 207Кешбэк 331 балл
    SK220DIODE SCHOTTKY 200V 2A SMB
    179 475Кешбэк 26 921 балл
    RB751S40-ONRECTIFIER, SCHOTTKY, 0.03A, 40V
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSR0140P2T5HSCHOTTKY DIODE SOD923
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSR0130P2T5HSCHOTTKY DIODE SOD923
    27.6Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП