Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SH8K32TB1

SH8K32TB1

SH8K32TB1
;
SH8K32TB1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SH8K32TB1 при покупке от 1 шт 430.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SH8K32TB1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SH8K32TB1

SH8K32TB1 ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VDS(on)): 60 В
    • Номинальный ток при VDS(on) = 60 В (ID(on)): 4.5 А
    • Количество каналов (N-CH): 2
    • Пакет: SOP8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малые потери энергии
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Низкая частота переключения по сравнению с IGBT
    • Необходимо наличие дополнительного радиатора для эффективного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Способность работать в высокочастотном режиме
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Инверторы
    • Электропитание
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SH8K32TB1

Техническая документация

SH8K32TB1.pdf
pdf. 0 kb
  • 24588 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    430 ₽
  • 10
    269 ₽
  • 100
    189 ₽
  • 500
    150 ₽
  • 2500
    116 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SH8K32TB1 при покупке от 1 шт 430.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SH8K32TB1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SH8K32TB1

SH8K32TB1 ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VDS(on)): 60 В
    • Номинальный ток при VDS(on) = 60 В (ID(on)): 4.5 А
    • Количество каналов (N-CH): 2
    • Пакет: SOP8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малые потери энергии
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Низкая частота переключения по сравнению с IGBT
    • Необходимо наличие дополнительного радиатора для эффективного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Способность работать в высокочастотном режиме
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
    • Инверторы
    • Электропитание
    • Блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики SH8K32TB1

Техническая документация

SH8K32TB1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории