Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
SH8M14TB1
  • В избранное
  • В сравнение
SH8M14TB1

SH8M14TB1

SH8M14TB1
;
SH8M14TB1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    SH8M14TB1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOPВсе характеристики

Минимальная цена SH8M14TB1 при покупке от 1 шт 421.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SH8M14TB1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SH8M14TB1

SH8M14TB1 ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 9А (N-канальный) / 7А (P-канальный)
    • Форм-фактор: SOP (Surface Mount Package)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и легкость установки на печатную плату благодаря Surface Mount Technology (SMT)
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическим шумам
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и скачков напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок
    • Изоляция различных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности и эффективности
Выбрано: Показать

Характеристики SH8M14TB1

  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A, 7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    630pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • Base Product Number
    SH8M14
  • 2381 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    421 ₽
  • 10
    269 ₽
  • 100
    187 ₽
  • 500
    157 ₽
  • 1000
    131 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    SH8M14TB1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOPВсе характеристики

Минимальная цена SH8M14TB1 при покупке от 1 шт 421.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SH8M14TB1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SH8M14TB1

SH8M14TB1 ROHM Semiconductor Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (N/P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 9А (N-канальный) / 7А (P-канальный)
    • Форм-фактор: SOP (Surface Mount Package)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и легкость установки на печатную плату благодаря Surface Mount Technology (SMT)
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическим шумам
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок и скачков напряжения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок
    • Изоляция различных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности и эффективности
Выбрано: Показать

Характеристики SH8M14TB1

  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A, 7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    630pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • Base Product Number
    SH8M14

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMC1229UFDB-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
    141Кешбэк 21 балл
    DMC1229UFDB-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
    141Кешбэк 21 балл
    DMP3098LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
    141Кешбэк 21 балл
    DMN61D8LVT-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
    143Кешбэк 21 балл
    DMN3035LWN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
    143Кешбэк 21 балл
    DMG9926UDM-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
    146Кешбэк 21 балл
    DMN2041LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
    146Кешбэк 21 балл
    DMG6968UTS-13Транзистор
    146Кешбэк 21 балл
    DMN2014LHAB-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
    148Кешбэк 22 балла
    DMC3021LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
    149Кешбэк 22 балла
    DMN4026SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
    150Кешбэк 22 балла
    DMG4800LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
    151Кешбэк 22 балла
    DMC3016LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
    151Кешбэк 22 балла
    DMC1018UPD-13Транзистор
    152Кешбэк 22 балла
    DMN3033LSDQ-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    152Кешбэк 22 балла
    DMN3016LDN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
    156Кешбэк 23 балла
    DMC3021LK4-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
    159Кешбэк 23 балла
    DMP2035UTS-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
    165Кешбэк 24 балла
    DMN2016UTS-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
    165Кешбэк 24 балла
    DMP6110SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
    170Кешбэк 25 баллов
    DMN66D0LDW-7Транзистор
    170Кешбэк 25 баллов
    DMN3024LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
    170Кешбэк 25 баллов
    DMP3056LSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    170Кешбэк 25 баллов
    DMC6040SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
    172Кешбэк 25 баллов
    DMN4031SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
    172Кешбэк 25 баллов
    DMN2016LHAB-7Транзистор
    172Кешбэк 25 баллов
    DMN3033LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    172Кешбэк 25 баллов
    DMP2004DMK-7Транзистор
    174Кешбэк 26 баллов
    DMC3026LSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
    176Кешбэк 26 баллов
    DMC1016UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    176Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП