SH8M31GZETB

SH8M31GZETB ROHM Semiconductor - транзистор:

• SH8M31 — это мощной MOSFET (полевого транзистора с полупроводниковым входом) с низким напряжением включения.

Основные параметры:

• Напряжение включения V_GS(th): до 2,5 В
• Максимальное напряжение между полюсами V_DS(max): 60 В
• Максимальная токовая способность I_D(max): 20 А
• Частота срабатывания f_T: 250 кГц

Плюсы:

• Низкое напряжение включения обеспечивает экономичное использование энергии.
• Высокая проводимость при низком напряжении включения.
• Устойчивость к шумам и помехам благодаря высокой частоте срабатывания.
• Компактный размер и надежность.

Минусы:

• Мощные токи могут вызвать перегрев, если не соблюдать рекомендации по охлаждению.
• Требуют дополнительных компонентов для защиты от электрических ударов и скачков напряжения.

Общее назначение:

• Используется для управления токами в электронных устройствах.
• Подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах и других системах с высокими требованиями к управляемости тока.

В каких устройствах применяется:

• Системы питания ноутбуков и планшетов.
• Преобразователи напряжения для бытовых приборов.
• Инверторы для систем хранения энергии.
• Автомобильные системы питания.