Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SH8M51GZETB

SH8M51GZETB

SH8M51GZETB
;
SH8M51GZETB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    SH8M51GZETB
  • Описание:
    Транзистор: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51Все характеристики

Минимальная цена SH8M51GZETB при покупке от 1 шт 309.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SH8M51GZETB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SH8M51GZETB

SH8M51GZETB Rohm Semiconductor Транзистор: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

  • Название: SH8M51GZETB
  • Производитель: Rohm Semiconductor
  • Тип: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Основные параметры:

  • Диодное напряжение (UDSONS): 20 V
  • Рабочее напряжение (VDS): 20 V
  • Предел тока (ID): 1.2 A
  • Коэффициент тока (RDS(on)): 17 mΩ (при VGS = 10 V)
  • Напряжение управления (VGS(threshold)): 3.5 V (максимально)

Плюсы:

  • Высокая скорость включения/выключения благодаря низкому RDS(on).
  • Устойчивость к обратному напряжению благодаря внутреннему диоду.
  • Малый ток утечки при отключенном состоянии.
  • Низкий коэффициент температурной зависимости RDS(on).

Минусы:

  • Высокое напряжение включения (VGS(threshold)) может потребовать дополнительного питания.
  • Ограниченная токовая способность (ID) для некоторых приложений.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах.
  • Переключение высоких напряжений и токов.
  • Защита от обратного напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Мобильные устройства.
  • Промышленные системы управления.
  • Электронные устройства бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики SH8M51GZETB

Техническая документация

SH8M51GZETB.pdf
pdf. 0 kb
  • 2500 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    309 ₽
  • 10
    234 ₽
  • 100
    163 ₽
  • 1000
    138 ₽
  • 5000
    112 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    SH8M51GZETB
  • Описание:
    Транзистор: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51Все характеристики

Минимальная цена SH8M51GZETB при покупке от 1 шт 309.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SH8M51GZETB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SH8M51GZETB

SH8M51GZETB Rohm Semiconductor Транзистор: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

  • Название: SH8M51GZETB
  • Производитель: Rohm Semiconductor
  • Тип: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Основные параметры:

  • Диодное напряжение (UDSONS): 20 V
  • Рабочее напряжение (VDS): 20 V
  • Предел тока (ID): 1.2 A
  • Коэффициент тока (RDS(on)): 17 mΩ (при VGS = 10 V)
  • Напряжение управления (VGS(threshold)): 3.5 V (максимально)

Плюсы:

  • Высокая скорость включения/выключения благодаря низкому RDS(on).
  • Устойчивость к обратному напряжению благодаря внутреннему диоду.
  • Малый ток утечки при отключенном состоянии.
  • Низкий коэффициент температурной зависимости RDS(on).

Минусы:

  • Высокое напряжение включения (VGS(threshold)) может потребовать дополнительного питания.
  • Ограниченная токовая способность (ID) для некоторых приложений.

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах.
  • Переключение высоких напряжений и токов.
  • Защита от обратного напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Мобильные устройства.
  • Промышленные системы управления.
  • Электронные устройства бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики SH8M51GZETB

Техническая документация

SH8M51GZETB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории