SH8MA2GZETB

SH8MA2GZETB ROHM Semiconductor Транзистор: SH8MA2 — это мощной полупроводниковый транзистор типа MOSFET (MOSFET).

• Основные параметры:
• Низкое значение тока сопротивления (R_DS(on)) для обеспечения минимальных потерь энергии при conductive режиме.
• Высокий коэффициент усиления (K_on) для быстрого включения и выключения.
• Максимальное напряжение на дрене (V_DS(max)) до 100 В.
• Максимальная токовая нагрузка (I_D(max)) до 45 А.

• Плюсы:
• Эффективность в работе благодаря низкому значению R_DS(on).
• Быстрый включение и выключение благодаря высокому K_on.
• Высокая надежность и долговечность.
• Компактный размер.

• Минусы:
• Высокие требования к охлаждению из-за возможного нагрева при максимальных нагрузках.
• Нуждается в правильной установке и подключении для предотвращения повреждений.

Общее назначение: SH8MA2 используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая проводимость и быстрое управление током.

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания и управления.
• Инверторы для преобразования напряжения.
• Приводы двигателей.
• Регуляторы напряжения.
• Системы управления мощностью.