Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
SHN1B01FDW1T1G
  • В избранное
  • В сравнение
SHN1B01FDW1T1G

SHN1B01FDW1T1G

SHN1B01FDW1T1G
;
SHN1B01FDW1T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SHN1B01FDW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74Все характеристики

Минимальная цена SHN1B01FDW1T1G при покупке от 1 шт 48.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SHN1B01FDW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SHN1B01FDW1T1G

SHN1B01FDW1T1G onsemi Транзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN/PNP
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 0.2А
    • Форм-фактор: SC74
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и компактная конструкция
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Ограниченный номинальный ток (0.2А)
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за небольшой мощности
  • Общее назначение:
    • Регулирование и управляющие цепи
    • Изменение уровня сигнала
    • Переключение нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SHN1B01FDW1T1G

  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    2µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    380mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Исполнение корпуса
    SC-74
  • Base Product Number
    SHN1B01

Техническая документация

 SHN1B01FDW1T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6148 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    48 ₽
  • 100
    18.5 ₽
  • 1000
    12 ₽
  • 6000
    9 ₽
  • 15000
    7.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SHN1B01FDW1T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74Все характеристики

Минимальная цена SHN1B01FDW1T1G при покупке от 1 шт 48.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SHN1B01FDW1T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SHN1B01FDW1T1G

SHN1B01FDW1T1G onsemi Транзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN/PNP
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 0.2А
    • Форм-фактор: SC74
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и компактная конструкция
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Ограниченный номинальный ток (0.2А)
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за небольшой мощности
  • Общее назначение:
    • Регулирование и управляющие цепи
    • Изменение уровня сигнала
    • Переключение нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SHN1B01FDW1T1G

  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    200mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    2µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    380mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Исполнение корпуса
    SC-74
  • Base Product Number
    SHN1B01

Техническая документация

 SHN1B01FDW1T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BCM856DS,115Транзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSOP
    109Кешбэк 16 баллов
    PMP4201Y,135Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
    115Кешбэк 17 баллов
    PMP5201Y,115Транзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
    115Кешбэк 17 баллов
    BCV65,215Транзистор
    117Кешбэк 17 баллов
    PMP4501Y,135Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
    119Кешбэк 17 баллов
    PMP4201V,115Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT666
    124Кешбэк 18 баллов
    PBSS5260PAP,115Транзистор: TRANS 2PNP 60V 2A 6HUSON
    161Кешбэк 24 балла
    PBSS4160PANP,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON
    189Кешбэк 28 баллов
    PBSS5130PAP,115Транзистор
    202Кешбэк 30 баллов
    PBSS5112PAP,115Транзистор: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
    202Кешбэк 30 баллов
    PBSS4260PANP,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 60V 2A 6HUSON
    204Кешбэк 30 баллов
    PBSS5255PAPSXТранзистор: TRANS 2PNP 55V 2A DFN2020D-6
    207Кешбэк 31 балл
    ZXTC2062E6TAТранзистор: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
    57Кешбэк 8 баллов
    ZXTC6720MCTAТранзистор: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN
    202Кешбэк 30 баллов
    ZDT694TAТранзистор: TRANS 2NPN 120V 0.5A SM8
    279Кешбэк 41 балл
    ZDT6702TAТранзистор
    338Кешбэк 50 баллов
    SSM2212RZТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
    2 016Кешбэк 302 балла
    SSM2212RZ-R7Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
    2 016Кешбэк 302 балла
    MAT14ARZ-R7Транзистор: TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO
    2 940Кешбэк 441 балл
    MAT14ARZТранзистор: TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO
    2 940Кешбэк 441 балл
    BC847BS-TPДиод: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    BC847BV-TPТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
    54Кешбэк 8 баллов
    MMDT5551-TPТранзистор: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
    66Кешбэк 9 баллов
    ULN2004ADМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    76Кешбэк 11 баллов
    ULN2004ANМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    105Кешбэк 15 баллов
    ULN2003ANМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
    146Кешбэк 21 балл
    ULN2803ANТранзистор: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
    157Кешбэк 23 балла
    SMA4038Транзистор: TRANS 6NPN DARL 120V 3A 15SIP
    615Кешбэк 92 балла
    SMA4030Транзистор: TRANS 4NPN DARL 100V 3A 12-SIP
    841Кешбэк 126 баллов
    SMA6010Транзистор: TRANS 3NPN/3PNP DARL 60V 12SIP
    1 017Кешбэк 152 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП